Полуволновое напряжение

Cтраница 2

Так, в работе [211] было показано, что полуволновое напряжение для этого кристалла равно 10 кВ при толщине / - 1 мм. В работах [129, 135] линейный электрооптическнй эффект в этом кристалле был полностью отнесен за счет вклада полосы переноса заряда, наблюдающейся в электронном спектре. [16]

Величина квадратичного эффекта повышается с возрастанием температуры, и полуволновое напряжение снижается, достигая 400 В при 90 С. [17]

Согласно (8.2.1) и (8.2.2), для осуществления болыцой глубины модуляции полуволновые напряжения V должны быть малы при данном напряжении модуляции, а для этого в случае поперечной схемы модулятора требуются кристаллы большой длины. [18]

При его приложении имеет место максимальная модуляция поляризации и амплитуды, поэтому полуволновое напряжение является одной из основных характеристик электрооптических кристаллов. При выключении напряжения пропускание света кристаллом быстро восстанавливается по тому же закону. Частоты модуляции зависят от конкретной реализации прибора ц обычно лежат в мегагерцевом диапазоне. [19]

Из предыдущего ясно, насколько важно в ПВМС использовать электрооптяческие материалы с малым полуволновым напряжением. [20]

В ряде работ [45, 7] отмечается, что материал электродов может влиять на величину полуволнового напряжения образца. Обычно используются электроды из аквадага, сере-бросодержащей пасты, напыленного в вакууме серебра и золота. [21]

Временная зависимость тока, текущего через кристалл НБС состава ж0 25 при его монодоменизации в силиконовой жидкости ( а и распределение полуволнового напряжения вдоль оси о в нем ( б. [22]

Данные, приведенные на рис. 4.43 6 и 4.44 6, показывают, что полуволновые напряжения образцов, монодоменизированных в силиконовой жидкости, меньше, чем у монодоменизированных на воздухе. [23]

Из этой оценки особенно наглядно, насколько более чувствительна ЭОК по сравнению с электрооптическими кристаллами, у которых полуволновое напряжение выше в десятки и сотни раз. [24]

Из (7.71) следует, что величина S 1 меньше и, значит, чувствительность ПВМС выше, если: 1) меньше полуволновое напряжение электрооптического кристалла L / K / 2, 2) используемые в структуре модулятора материалы обладают меньшей диэлектрической проницаемостью, 3) структура модулятора имеет большую толщину входящих в нее слоев. [25]

Таким образом, та же самая электрическая поляризация или, что почти то же, наведенное двулучепреломление, могут быть получены при полуволновых напряжениях, в 10 - 15 раз меньших, чем при комнатной температуре. [26]

Гзз - 13 1 / 3), м / В; , - длина волны м; U х / 2 - полуволновое напряжение, В, в частном случае одноосных кристаллов [ ось г ( или ось 3) - оптическая ] и при распространении света в перпендикулярном оси г направлении. [27]

Принимая во внимание, что сопротивление на постоянном токе поляризованного образца значительно больше, чем неполяризованного, авторы работы [13] на основе модели частично поляризованного образца вычислили полуволновое напряжение в различных областях кристалла. [28]

Таким образом, использование линейного продольною модулятора на основе НБС состава х - 0, 30 ограничено нелинейностью диэлектрической проницаемости и деполяризующими эффектами, приводящими к значительному возрастанию полуволнового напряжения. Поэтому в низкочастотных модуляторах света более целесообразно иг-пользовать квадратичный продольный эффект, не подверженный влиянию указанных факторов. [29]

Зависимость Fx / 2 от состава может быть получена с помощью формулы (6.14) путем подстановки в нее величин Р8 и е для монодоменных кристаллов, приведенных в табл. 6.5. Проведенные расчеты показывают, что кристаллы, выращенные из расплавов, сильно отличающихся от стехиометрического, имеют низкие полуволновые напряжения. В таких кристаллах отсутствуют полосы роста, что указывает на приближение расплавов к конгруэнтному. [30]

Страницы: 1 2 3 4