Эмиттерное напряжение

Cтраница 2

Как видно из рис. 3.17, зависимость частоты автогенератора от эмиттерного напряжения для схемы типа Б изменяется с изменением ук. На кривой при значении ук 12 отчетливо виден эффект компенсации ухода частоты. [16]

Устройство ( а, схема включения ( б и вольтамперная характеристика ( в однопереходного транзистора. [17]

Дальнейшее увеличение эмиттерного тока ( участок ВС) связано с повышением внешнего эмиттерного напряжения. [18]

Напряжение базы проводящего транзистора составляет около - 0 3 в, а эмиттерное напряжение приблизительно равно 0; так как его коллекторное напряжение составляет - 6 0 93 в, напряжение перехода эмиттер - коллектор равно 5 07 в. Таким образом, проводящий транзистор находится в состоянии, далеком от границы насыщения, что устраняет задержку за счет рассасывания. [19]

Знак минус означает, что увеличение коллекторного напряжения ( по модулю) уменьшает эмиттерное напряжение. [20]

Поэтому в большинстве случаев целесообразно считать заданной величиной эмиттерный ток, а не эмиттерное напряжение. [21]

Формы сигналов релаксационного генератора в режиме делителя частоты. [22]

Коэффициент деления частоты может быть получен равным трем и более, но для надежности работы наклон кривой эмиттерного напряжения должен быть крутым вблизи точки срабатывания, если необходимо получить уверенное различие между соседними управляющими импульсами. [23]

Диффузионная емкость эмиттера не будет специально изображаться на схемах; она должна учитываться лишь тогда, когда инерционность эмиттерного напряжения имеет самостоятельное значение. [24]

При внимательном рассмотрении схемы рис. 1.28 возникает вопрос, нельзя ли в качестве опорного напряжения, подаваемого на базу первого транзистора, использовать часть эмиттерного напряжения второго или третьего каскада; при этом, как легко видеть, возникает петля обратной связи по постоянному току, охватывающая несколько каскадов. Эта обратная связь должна быть отрицательной, в противном случае она будет дестабилизировать режим каскадов. [25]

Из простого сравнения величин рабочих напряжений на эмиттере и коллекторе можно сделать вывод о том, что для изменения заряда на одну и ту же величину эмиттерное напряжение необходимо изменять значительно меньше, чем коллекторное напряжение. Это означает, что диффузионная емкость коллектора меньше, чем диффузионная емкость эмиттера. [26]

Из простого сравнения величин рабочих напряжений на эмиттере и на коллекторе можно сделать вывод, что для того, чтобы изменить заряд в базе на одну и ту же величину, изменение эмиттерного напряжения должно быть значительно меньше изменения коллекторного напряжения. А это значит, что диффузионная емкость коллектора должна быть значительно меньше диффузионной емкости эмиттера. Действительно, в то время как диффузионная емкость эмиттера составляет тысячи и в лучшем случае сотни пикофарад, диффузионная емкость коллектора составляет единицы и даже доли пикофарады. [27]

Поскольку входной транзистор насыщен, коллекторный ток / Ki остается практически неизменным, а эмиттерный ток / Э1 несколько уменьшается за счет изменения базового тока / бь В связи с уменьшением тока / Э1 происходит некоторое повышение эмиттерного напряжения U 3, поскольку эмиттерный ток насыщенного выходного транзистора практически не изменяется. Существенное изменение базового тока 7 ci при повышении входного напряжения происходит до тех пор, пока транзистор 7 находится в режиме насыщения. [28]

В результате лавинообразного процесса опрокидывания транзисторы TI и Т2 полностью закрываются и через них теперь протекают весьма малые обратные коллекторные ( / Ki, / КЕ), базовые ( / бь / 52) и эмиттер-ные ( / Э1, / эа) токи. Эмиттерное напряжение U 3 при этом падает практически до нулевого значения, а коллекторные напряжения U Kl и U K2 увеличиваются по абсолютной величине. [29]

Однако задача упрощается ъ связи с тем, что в большинстве практических случаев величина коэффициента б лежит в пределах 0 01 - 0 1, при этом согласно ( 36) оптимальное значение изменяется в сравнительно небольших пределах уопт0 7 - 0 9, что позволяет рекомендовать следующий порядок определения величины тока / ь Задаемся оптимальным значением Y. Поскольку эмиттерное напряжение Usl в сравнительно слабой степени зависит от величины тока 1, то последнее уточнение, как правило, не требуется. [30]

Страницы: 1 2 3 4