Эмиттерное напряжение

Cтраница 4

Рассмотрим теперь влияние эмиттерного напряжения на ток транзистора. Изменение базового / в и коллекторного тока / с от эмиттерного напряжения УВе представлено на рис. 3.13. Коллекторный ток / с в широком диапазоне пропорционален exp ( qVBEfkT), а базовый ток h пропорционален exp ( qVBE / 2kT) лишь при малых значениях Уве. Ток генерации не зависит от режима работы транзистора. Поэтому в диапазоне малых значений УВе ( или малого коллекторного тока / с) коэффициент ( 3F усиления по току небольшой. На рисунке видно, что при / с8 нА коллекторный ток меньше базового, и усиления не происходит. [46]

Переход от отрицательного участка вновь к положительному имеет место, когда нижняя база насыщается зарядами и сопротивление ее перестает изменяться. В этом режиме увеличение эмиттерного тока связано с повыше - 645 Схема ге ератора им-нием эмиттерного напряжения. [47]

Из этих диаграмм видно, что при заданном токе / э на входе и изменении напряжения t / кв на t / кв одновременно с сокращением ширины базы изменяется распределение концентрации зарядов рп, так что прямая / переходит в прямую 2, имеющую больший угол наклона. Такому изменению распределения соответствует увеличение эмиттерного напряжения. Следовательно, коллекторное напряжение, модулируя толщину базы, одновременно воздействует на эмиттерное напряжение. [48]

Значимость погрешности от напряжения смещения транзисторного ключа уменьшается пропорционально увеличению опорного напряжения. Так как могут быть изготовлены быстродействующие транзисторы для переключения аналоговых сигналов с эмиттерным напряжением пробоя около 30 В, обычный предел для опорного напряжения составляет 20 - 25 В. [49]

Схема мульти - ния да базе Тг увеличивается. [50]

Увеличиваются прямые токи, протекающие через транзистор Tz. С увеличением коллектор-наго тока Т2 падает напряжение на его коллекторе, благодаря чему напряжение на базе TI несколько уменьшается, что также способствует еще большему его открыванию. Однако в связи с тем, что переход база - эмиттер транзистора 7 теперь открыт, положительный перепад эмиттерного напряжения TI передается на его базу. В результате этого лавинообразного процесса оба транзистора открываются. [51]

Схематическое изображение транзистора. а р - а - р типа. б п - р - п тиаа.| Распределение токов и. [52]

Сопротивление перехода в данном случае очень мало, и величина тока через него определяется соответствующей частью переменного сопротивления R. К коллекторному переходу транзистора подключена батарея Бк в обратном направлении, при этом обратный коллекторный ток чрезвычайно мал, так как обратное сопротивление перехода велико. Рассмотренный способ подключения источников питания является характерным для транзисторных схем, так как коллекторное напряжение всегда имеет обратную, а эмиттерное напряжение - прямую полярность. [53]

В промежутке времени t tti увеличиваются прямые токи электродов входного транзистора, а выходной транэи - стор по-прежнему закрыт. Вследствие повышения коллекторного и эмиттерного тока несколько увеличиваются напряжения t / Ki и У б2, а напряжение на эмиттерах транзисторов U a понижается. Уменьшается и напряжение на базе транзистора Т за счет понижения входного напряжения триггера. U BZ повышается настолько, что выходной транзистор открывается. Поскольку теперь открыты оба транзистора, в схеме начинается лавинообразный процесс, в результате которого - оба транзистора полностью открываются и переходят в насыщенное состояние. Скачкообразно повышается эмиттерное напряжение, а следовательно, резко увеличиваются базовые напряжения обоих транзисторов и коллекторное напряжение TI и уменьшается коллекторное напряжение выходного транзистора. [54]

В промежутке времени t3ti4 увеличиваются прямые токи электродов входного транзистора, а выходной транзистор по-прежнему закрыт. Вследствие повышения коллекторного и эмиттерного токов несколько увеличиваются напряжения U KI и U s2, а напряжение на эмиттерах транзисторов U a понижается. Уменьшается и напряжение на базе транзистора Г за счет понижения напряжения U 9 и входного напряжения триггера. В момент tt напряжение U n2 повышается настолько, что выходной транзистор открывается. Поскольку теперь открыты оба транзистора, в схеме начинается лавинообразный процесс, в результате которого оба транзистора полностью открываются и переходят в насыщенное состояние. Скачкообразно повышается эмиттерное напряжение, а следовательно, резко увеличиваются базовые напряжения обоих транзисторов и коллекторное напряжение Т, и уменьшается коллекторное напряжение выходного транзистора. [55]

В эту упрощенную схему не включены источники тока и не показана замкнутая петля обратной связи. При возрастании напряжения синфазного сигнала напряжение на коллекторах транзисторов первого каскада уменьшается ввиду инверсии в каскаде. Это изменение напряжения вызывает уменьшение напряжения в общей точке ( 1) между эмиттерными резисторами второго каскада, которое инвертируется усилителем синфазного сигнала. В результате напряжение в общей эмиттерной точке ( 2) первого каскада повышается. Это повышение эмиттерного напряжения нейтрализует понижение коллекторного напряжения первого каскада и, следовательно, противодействует влиянию источника синфазного сигнала. [56]

Две переключающие схемы, подобные изображенным на фиг. Схема соединения показана на фиг. Транзисторы Т5 и Т6 служат для подачи в схему запускающих импульсов. Если TI открыт, а Т2 закрыт, напряжение VА составляет - 6 - 0 54 в. Это поддерживает Т3 закрытым, а Т4 форсированно открывается, и напряжение точки УВ становится равным 0 - 0 54 в, таким образом, T. Теперь, если TS кратковременно открывается, ток, потребляемый R2, потечет через него, поднимая эмиттерное напряжение транзистора Т4 несколько выше напряжения базы. Следовательно, Т4 закрывается, напряжение VB становится равным 0 0 93 в, и TI форсированно закрывается. [57]

Страницы: 1 2 3 4