Эмиттерное напряжение

Cтраница 3

Выбор эмиттерного напряжения при прямом смещении мергхода определяется значением необходимого рабочего тока эмиттера. Значение эмиттерного напряжения при обратном смещении перехода не должно превышать максимально допустимого. [31]

Мультивибратор с эмиттерным времязадающим мостом ( рис. 15.5 а) получается из мультивибратора с простой реостатно-емкостной время-задающей цепью ( рис. 6.1) при замене ее мостом. Источник эмиттерного напряжения Еэ необходим для того, чтобы напряжение Ug ( рис. 15.5 6) после отпирания диода моста стремилось изменить полярность на обратную. Особенности работы мультивибратора с мостом заключаются в следующем. При заряде конденсаторов через открытый транзистор Т2 ( интервал 0 - t0 на рис. 15.5 6) напряжение иб имеет положительную полярность и транзистор 7 закрыт. После выхода 7 из режима насыщения мультивибратор возвращается в исходное состояние. [32]

Из формулы (18.1) видно, что сила коллекторного тока зависит от силы эмиттерного тока. При изменении эмиттерного напряжения, а следовательно, и силы эмиттерного тока сила коллекторного тока также изменяется. [33]

Схема замещения ( а и диаграмма распределения концентрации ( б л.| Схемы включения транзистора с общей базой ( а, общим эмиттером ( б и общим коллектором ( в. [34]

Из этих диаграмм видно, что при заданном токе / э на входе и изменении напряжения t / кв на t / кв одновременно с сокращением ширины базы изменяется распределение концентрации зарядов рп, так что прямая / переходит в прямую 2, имеющую больший угол наклона. Такому изменению распределения соответствует увеличение эмиттерного напряжения. Следовательно, коллекторное напряжение, модулируя толщину базы, одновременно воздействует на эмиттерное напряжение. [35]

Усилитель с общим эмиттером, обладающий стабильным смещением, линейностью и большим коэффициентом усиления по напряжению.| Другой вариант схемы, показанной на. [36]

Трудность состоит в том, что эмиттерное напряжение, равное лишь 0 175 В, будет подвержено существенным изменениям. [37]

Одна из разновидностей рассмотренной схемы отличается использованием в эмиттерной цепи двух последовательных резисторов, один из которых шунтируется. Трудность состоит в том, что эмиттерное напряжение, равное всего лишь 0 175 В, будет подвержено существенным изменениям. [38]

Статические характеристики транзистора при включении по схеме с общей базой. [39]

При нагреве транзистора кривые смещаются влево в область меньших напряжений. При одном и том же эмиттерном токе эмиттерные напряжения у кремниевых транзисторов на 0 3 - 0 4 в больше, чем у германиевых, но все же обычно не превышают 0 6 - 0 7 в. Спецификой транзистора по сравнению с диодом в этом отношении является то, что напряжение ( / эб включает в себя слагаемое / 6г6, где г6 - сопротивление пассивной области базы; поскольку / 6 / s, такое слагаемое имеет практическое значение лишь при достаточно больших токах. [40]

Статические характеристики транзистора при включении по схеме. [41]

При нагреве транзистора кривые смещаются влево в область меньших напряжений. При одном и том же эмиттер ном токе эмиттерные напряжения у кремниевых транзисторов на 0 4 В больше, чем у германиевых ( см. рис. 2 - 21) и обычно составляют 0 7 - 0 8 В. [42]

Наиболее общим методом АРУ является управление положением рабочей точки транзистора. Усиление можно уменьшить, понижая эмит-терный ток или эмиттерное напряжение; последнее находит меньшее применение, однако при уменьшении усиления необходимо очень низкое коллекторное напряжение, в результате повышается коллекторная емкость и понижается частота отсечки. При изменении смещения рабочей точки входное и выходное полные сопротивления существенно изменяются; в то же время усиление по мощности при условии согласования по входу и выходу остается неизменным. Поэтому управление усилением достигается прежде всего за счет рассогласования. Каскады АРУ должны рассчитываться на оптимальную чувствительность для условия минимального сигнала АРУ, когда требуется максимальное усиление. [43]

И, наконец, рассмотрим процессы в триггере после его второго опрокидывания. Вследствие возрастания базового тока / el происходит некоторое уменьшение эмиттерного напряжения U a, а следовательно, снижается и напряжение й ьг. Остальные токи и напряжения в триггере остаются практически неизменными. Оба транзистора открыты и насыщены. Триггер находится в первоначальном состоянии устойчивого равновесия. [44]

Здесь будут рассмотрены образцы, дающие баланс с точностью до 4 % от нормального изменения. Следовательно, применяя два отобранных образца, можно уменьшить изменения эмиттерного напряжения до 100 мкв / град. Две схемы, с помощью которых это достигается, показаны на фиг. Полярность включения диода выбирается так, чтобы уравновешивались изменения напряжения на участке эмиттер-база. [45]

Страницы: 1 2 3 4