Напряженность - внутреннее поле - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Человеку любой эпохи интересно: "А сколько Иуда получил на наши деньги?" Законы Мерфи (еще...)

Напряженность - внутреннее поле

Cтраница 1


Напряженность внутреннего поля увеличивается с ростом градиента коцентрации доноров и температуры. При изготовлении полупроводниковых приборов широко пользуются методом диффузии примесей в полупроводник. При этом создается неравномерное распределение примесей, которое приближенно может быть представлено функцией вида Ng ( x) ЛГ.  [1]

Напряженность внутреннего поля Я - зависит от внешнего ноля Е, диэлектрической постоянной е и структуры диэлектрика. Установление этой зависимости является сравнительно трудной задачей. При ее решении Г. А. Лорентц допустил, что сила поля, действующая на молекулу, равна силе поля в центре шарообразной полости в диэлектрике, радиус которой значительно превышает размеры молекул.  [2]

Напряженность внутреннего поля Et зависит от внешнего поля Е, диэлектрической постоянной е и структуры диэлектрика. Установление этой зависимости является сравнительно трудной задачей. При ее решении Г. А. Лорентц допустил, что сила поля, действующая на молекулу, равна силе поля в центре шарообразной полости в диэлектрике, радиус которой значительно превышает размеры молекул.  [3]

Ввиду того, что напряженность внутреннего поля очень велика, его природу нельзя объяснить магнитным полем элементарных магнитов.  [4]

Если напряженность внешнего поля превысит напряженность внутреннего поля ( Е пЕв), дырки и электроны будут проходить через р-га-переход. Через вентиль в этом случае течет электрический ток и приложенное к нему небольшое напряжение называют прямым. Оно создает в полупроводниках такую напряженность электрического поля, которая необходима для поддержания в них тока.  [5]

6 Модельное изображение процесса отжатия из цементного. [6]

По мере увеличения внешнего давления напряженность внутреннего поля сил возрастает и молекулы воды с деформированной дипольной структурой [46] могут переходить в обычное их состояние и затем отжиматься из цементного геля. Одновременно с этим при сближении частиц силы взаимодействия между ними возрастают настолько, что они начинают превосходить силы отталкивания.  [7]

8 Распределение продольного электрического поля по толщине образца BSO, наблюдаемое при разных экспозициях W. [8]

На рис. 4.7 показаны зависимости напряженности внутреннего поля от координаты х, полученные при интенсивностях записывающего света, при которых характерные времена формирования внутреннего поля составляют величины порядка нескольких секунд.  [9]

С ростом тока эмиттера в соответствии с выражением (4.14) увеличивается напряженность внутреннего поля базы, движение дырок на коллектор становится более направленным, в результате уменьшаются рекомбинационные потери на поверхности базы, возрастает коэффициент переноса v, а следовательно, и а. При дальнейшем увеличении тока эмиттера снижается коэффициент инжекции и растут потери на объемную рекомбинацию, поэтому коэффициент передачи тока а начинает уменьшаться.  [10]

Из ( 15) следует, что плотность тока уменьшается при возрастании напряженности внутреннего поля в эмиттер-ной области. Это означает, что при неоднородном распределении концентрации примеси внутри эммитера наблюдается некоторое увеличение Коэффициента инжек-ции по сравнению с однородным распределением.  [11]

Второй момент ( или момент второго порядка) есть среднее значение квадрата напряженности внутреннего поля, действующего на ядра рассматриваемой группы.  [12]

С ростом тока эмиттера коэффициент передачи тока базы вначале повышается вследствие увеличения напряженности внутреннего поля базы, ускоряющего перенос дырок через базу к коллектору и этим уменьшающего рекомбинационные потери на поверхности базы.  [13]

Величина второго момента описывает форму резонансной линии поглощения и представляет собой среднее значение квадрата напряженности внутреннего поля.  [14]

Бетчером [186] и Фрелихом [187] было показано, что поле Лоренца представляет собой среднее по всему объему значение напряженности внутреннего поля, в котором не учитывается ближний порядок в положениях и ориентации молекул.  [15]



Страницы:      1    2