Напряженность - внутреннее поле
Cтраница 1
Напряженность внутреннего поля увеличивается с ростом градиента коцентрации доноров и температуры. При изготовлении полупроводниковых приборов широко пользуются методом диффузии примесей в полупроводник. При этом создается неравномерное распределение примесей, которое приближенно может быть представлено функцией вида Ng ( x) ЛГ. [1]
Напряженность внутреннего поля Я - зависит от внешнего ноля Е, диэлектрической постоянной е и структуры диэлектрика. Установление этой зависимости является сравнительно трудной задачей. При ее решении Г. А. Лорентц допустил, что сила поля, действующая на молекулу, равна силе поля в центре шарообразной полости в диэлектрике, радиус которой значительно превышает размеры молекул. [2]
Напряженность внутреннего поля Et зависит от внешнего поля Е, диэлектрической постоянной е и структуры диэлектрика. Установление этой зависимости является сравнительно трудной задачей. При ее решении Г. А. Лорентц допустил, что сила поля, действующая на молекулу, равна силе поля в центре шарообразной полости в диэлектрике, радиус которой значительно превышает размеры молекул. [3]
Ввиду того, что напряженность внутреннего поля очень велика, его природу нельзя объяснить магнитным полем элементарных магнитов. [4]
Если напряженность внешнего поля превысит напряженность внутреннего поля ( Е пЕв), дырки и электроны будут проходить через р-га-переход. Через вентиль в этом случае течет электрический ток и приложенное к нему небольшое напряжение называют прямым. Оно создает в полупроводниках такую напряженность электрического поля, которая необходима для поддержания в них тока. [5]
 |
Модельное изображение процесса отжатия из цементного. [6] |
По мере увеличения внешнего давления напряженность внутреннего поля сил возрастает и молекулы воды с деформированной дипольной структурой [46] могут переходить в обычное их состояние и затем отжиматься из цементного геля. Одновременно с этим при сближении частиц силы взаимодействия между ними возрастают настолько, что они начинают превосходить силы отталкивания. [7]
 |
Распределение продольного электрического поля по толщине образца BSO, наблюдаемое при разных экспозициях W. [8] |
На рис. 4.7 показаны зависимости напряженности внутреннего поля от координаты х, полученные при интенсивностях записывающего света, при которых характерные времена формирования внутреннего поля составляют величины порядка нескольких секунд. [9]
С ростом тока эмиттера в соответствии с выражением (4.14) увеличивается напряженность внутреннего поля базы, движение дырок на коллектор становится более направленным, в результате уменьшаются рекомбинационные потери на поверхности базы, возрастает коэффициент переноса v, а следовательно, и а. При дальнейшем увеличении тока эмиттера снижается коэффициент инжекции и растут потери на объемную рекомбинацию, поэтому коэффициент передачи тока а начинает уменьшаться. [10]
Из ( 15) следует, что плотность тока уменьшается при возрастании напряженности внутреннего поля в эмиттер-ной области. Это означает, что при неоднородном распределении концентрации примеси внутри эммитера наблюдается некоторое увеличение Коэффициента инжек-ции по сравнению с однородным распределением. [11]
Второй момент ( или момент второго порядка) есть среднее значение квадрата напряженности внутреннего поля, действующего на ядра рассматриваемой группы. [12]
С ростом тока эмиттера коэффициент передачи тока базы вначале повышается вследствие увеличения напряженности внутреннего поля базы, ускоряющего перенос дырок через базу к коллектору и этим уменьшающего рекомбинационные потери на поверхности базы. [13]
Величина второго момента описывает форму резонансной линии поглощения и представляет собой среднее значение квадрата напряженности внутреннего поля. [14]
Бетчером [186] и Фрелихом [187] было показано, что поле Лоренца представляет собой среднее по всему объему значение напряженности внутреннего поля, в котором не учитывается ближний порядок в положениях и ориентации молекул. [15]
Страницы: 1 2