Напыление - алюминий
Cтраница 2
 |
Получение диэлектрической изоляции в полупроводниковых интегральных микросхемах. [16] |
Контактные площадки получают путем вытравливания окон в окисле кремния и напыления алюминия. Для получения законченных полупроводниковых интегральных микросхем элементы соединяют токопрово-дящими проводниками из алюминия. [17]
 |
Структура одной ячейки многоэмиттерного транзистора. [18] |
Вслед за вытравливанием в окисле контактных окон на всю пластину проводится напыление алюминия. После напыления алюминия проводится последняя, пятая фотолитографическая обработка, с помощью которой алюминиевое покрытие удаляется так, как это показано на рис. 7 - 6Д При этом видно, что каждый зубец эмит-терной металлизации подводит ток к двум рядам эмиттеров. [19]
Основные балки крыши технической базы ВЕА и мастерской при Лондонском аэропорте в Хитроу также защищены напылением алюминия. [20]
 |
Последовательность основных технологических операций изготовления КМДП-ИМС. [21] |
Особую важность в процессе изготовления окисла над областью затвора имеет чистота обработки его поверхности перед напылением алюминия. Обычно используют несколько способов обработки поверхности окисла, в том числе кислотную и перекисно-аммиач-ную отмывки. Лучшие результаты дает перекисно-аммиачная отмывка, проводимая в течение 7 - 10 мин при температуре 70 С. Этим обеспечивается достаточная чистота поверхности, причем стабильность диэлектрика не снижается после термической обработки. [22]
 |
Конструкции фотодиодов. а - ФД-2, б - ФД-3. [23] |
При большой площади перехода контакты к диффузионному слою - тина выполняют в виде кольца или сетки напылением алюминия. Электрод подсоединяют к контактам методом термокомпрессии. Если площадь перехода мала, то контакт выполняют термокомпрессией тонкого золотого электрода непосредственно к слою п-типа. [24]
 |
Полупроводниковая интегральная микросхема. а - структура. б - эквивалентная электрическая схема. [25] |
Внутренняя коммутация в пределах одной интегральной схемы осуществляется путем соединения МОП-транзисторов и МОП-резисторов между собой в требуемой последовательности путем напыления алюминия. [26]
Покрытие из карбида кремния на борном волокне ( такой упрочнитель назван борсик) обеспечивает некоторую защиту волокна, и при плазменно-дуговом напылении алюминия не происходит его разупрочнения под воздействием капельной струи. Толщина покрытия составляет обычно 10 мкм. Ваше [3] показал, что покрытие такой толщины предотвращает разупрочнение волокна при отжиге на воздухе и в порошках алюминия или титана. Отжиг волокон в слабо спрессованных порошках нельзя считать надежным методом исследования, так как в присутствии окисных пленок длительное время сохраняются условия для существования материалов первого класса, тогда как на самом деле композит относится к псевдопервому классу. Тем не менее последующие исследования, проведенные в более жестких условиях, подтвердили основной результат Ваше - покрытие из карбида кремния замедляет реакцию бора с алюминиевой матрицей. [27]
 |
Структура биполярного n - p - п транзистора в ИМС в масштабе. Все размеры указаны в микронах. [28] |
Процесс термического формирования и стабилизации затворного окисла является достаточно критичным, а сам окисел - чувствительным к загрязнениям, которые могут быть внесены на всех этапах между формированием окисла и напылением алюминия. [29]
При использовании стеклянных подложек целесообразно предварительное осаждение сплошной алюминиевой пленки, которая выполняет те же функции, что и металлическая подложка магнитных матриц. Напыление алюминия осуществляется с помощью электроннолучевого испарителя при температуре подложки 170 - 220 С. [30]
Страницы: 1 2 3 4