Напыление - алюминий
Cтраница 3
Вслед за вытравливанием в окисле контактных окон на всю пластину проводится напыление алюминия. После напыления алюминия проводится последняя, пятая фотолитографическая обработка, с помощью которой алюминиевое покрытие удаляется так, как это показано на рис. 7 - 6Д При этом видно, что каждый зубец эмит-терной металлизации подводит ток к двум рядам эмиттеров. [31]
 |
Электронно-дырочные переходы, полученные методом сплавления ( о, диффузии ( б и эпитаксиального выращивания ( в. [32] |
В случае кремния с - проводимостью вжигание алюминия ( являющегося акцептором по отношению к кремнию) может привести к полной компенсации или даже перекомпенсации исходной - проводимости и возникновению дополнительного п - / - перехода. Поэтому перед напылением алюминия n - кремний дополнительно обогащают донорными примесями, создавая приповерхностный обогащенный - слой. Тогда при вжигании алюминия в кремний концентрация его атомов в приповерхностном слое окажется меньшей, чем концентрация донорных примесей, и - проводимость не изменится. [33]
Еще раз покроем всю пластину изолирующим слоем двуокиси кремния и затем вскроем в этом слое два отверстия: одно над эмиттером, а другое, расположенное в самом центре, над базой. Через эти отверстия напылением алюминия или золота создадим выводы эмиттера и базы. Что же касается вывода коллектора, то ею изготовление не вызывает сложности - достаточно укрепить проводящую пластинку на нижней стороне коллектора. [34]
При проведении процесса часто происходит реакция между напыляемым металлом и металлом элемента сопротивления. Например, при напылении алюминия с использованием испарителя из вольфрама может растворяться до 3 % алюминия. Поэтому для элементов сопротивления рекомендуется применять проволоку относительно большего диаметра. Необходимо соблюдать условие, чтобы в каждой точке масса металла испарителя не менее чем в три раза превышала массу напыляемого металла. [35]
Наряду с диффузионной технологией кремниевых фотодиодов стали применять Планерную технологию ( рис. 9.32 6), широко используемую при изготовлении других полупроводниковых приборов. Контакт к / 7-слою осуществлен напылением алюминия. К нему термокомпрессией подсоединен тонкий золотой электрод, соединяющийся с выводом фотодиода. Поверхность фотодиода защищена окисью кремния, являющейся также просветляющим слоем, повышающим чувствительность фотодиода. [36]
 |
Структура диффузного ( а и пленарного ( б фотодиода.| Конструкции фото. [37] |
В последнее время стали применять пленарную технологию ( рис. 9.27, б), широко используемую при изготовлении других полупроводниковых приборов. Контакт к / 7-слою кремния осуществлен напылением алюминия. К нему термокомпрессией подсоединен тонкий золотой электрод, соединяющийся с выводом фотодиода. Поверхность фотодиода защищена окисью кремния, являющейся также просветляющим слоем, повышающим чувствительность фотодиода. [38]
 |
Полупроводниковая интегральная микросхема на сапфировой. [39] |
Поверхность слоя окисляется и с помощью процессов фотолитографии и планар-ной технологии может быть изготовлен любой элемент схемы. На участках, свободных от кремния, напылением алюминия создаются соединительные проводники. [40]
Люрекс ММ отличается от только что описанных и требует особого рассмотрения. При изготовлении люрекса ММ за основу берут металлизированную ( путем напыления алюминия в вакууме) полиэфирную пленку майлар, которую склеивают или с одним слоем прозрачной полиэфирной пленки или с двумя слоями прозрачной пленки. Краситель вводят в состав клеящей композиции. Главное отличие люрекса ММ от люрексов других типов заключается в том, что металлическая основа его состоит из множества отдельных частичек, а не из сплошной ленты металла. Такая конструкция люрекса ММ определяет его большую мягкость и меньшую толщину, а также целый ряд других, рассматриваемых ниже показателей. [41]
В тех случаях, когда изделия предназначены для эксплуатации при температурах, когда органические пленкообразователи применять нельзя, то вместо грунтования перед окраской кремний-органическими эмалями поверхность специально подготавливают. Метод подготовки поверхности выбирают в зависимости от температуры эксплуатации изделия: до 300 С поверхность обрабатывают струей абразивного порошка или фосфатируют; до 500 С - металлизируют напылением алюминия. [42]
Для изделий, эксплуатируемых в условиях высоких температур, используют Кремнийорганические покрытия, немодифицированные другими смолами. В этих случаях эмали наносят на поверхность, предварительно подвергнув детали специальной обработке например детали из углеродистых и малолегированных сталей, работающих при 300 - 400 СС, - гидропескоструят и фосфатируют, выше 400 С - только пескоструят ( фосфатная пленка выше 400 С разрушается); при 500 G - металлизируют напылением алюминия. [43]
Для изделий, эксплуатируемых в условиях высоких температур, используют Кремнийорганические покрытия, немодифицированные другими смолами. В этих случаях эмали наносят на поверхность, предварительно подвергнув детали специальной обработке, например детали из углеродистых и малолегированных сталей, работающих при 300 - 400 С - гидропескоструят и фосфати-руют, выше 400 С - только пескоструят ( фосфатная пленка выше 400 С разрушается); при 500 С - металлизируют напылением алюминия. [44]
Обработанные в пескоструйном аппарате заготовки покрываются в вакууме ( не ниже 3 - 4 10 - 6 мм рт. ст.) тонким слоем алюминия, который, не уменьшая в значительной мере сопротивления мозаики, снижает количество пятен на телевизионном изображении. Слюдяные пластины 1 закрепляются в соответствующих держателях таким образом, чтобы подлежащая покрытию поверхность была обращена к испарителю. После нагрева испарителя до сплавления фольги в каплю начинается напыление алюминия на слюду, продолжающееся в течение 1 - 2 мин. [45]
Страницы: 1 2 3 4