Напыление - алюминий
Cтраница 4
Над стоковыми и истоковыми областями будущих р-канальных приборов осаждается слой окисла, легированного бором, а над стоковыми и истоковыми областями - канальных-слой окисла, легированного фосфором. После этого пластина помещается в печь, в которой при температуре 1100 С проводится одновременная диффузия примесей обоих типов на всю глубину кремниевого слоя и выращивание защитного окисла. Затем осуществляется одновременно вскрытие окон под диэлектрик затвора, термическое окисление области затвора, напыление алюминия и фотолитография для создания электродов и соединительных проводников. [46]
Прочность покрытий, получаемых обоими способами, примерно одинакова. С точки зрения коррозионной стойкости покрытий оба способа также равноценны. Эта разница более заметна при напылении алюминия. [47]
 |
Зависимость VT ( а и м / г / Г ( б юлщины пленки d 31. до ( / и после ( 2 гидрогенизации. [48] |
Тонкопленочные полевые транзисторы с МОП-структурой были изготовлены на основе поликристаллических пленок кремния толщиной - 0 3 - 1 0 мк. Подзатворный диэлектрик толщиной 4800 А был нанесен методом химического осаждения при 400 С. Области стока и истока были созданы путем имплантации и последующего отжига. Затворный электрод и контакты были созданы напылением алюминия. [49]
 |
Зависимость VT ( Д и м / г / г ( б юлщины пленки У 31. до ( / и после ( 2 гидрогенизации. [50] |
Тонкопленочные полевые транзисторы с МОП-структурой были изготовлены на основе поликристаллических пленок кремния толщиной - 0 3 - 1 0 мкм. Подзатворный диэлектрик толщиной 4800 А был нанесен методом химического осаждения при 400 С. Области стока и истока были созданы путем имплантации и последующего отжига. Затворный электрод и контакты были созданы напылением алюминия. [51]
Вопрос о способе введения керамоподобных соединений в состав покрытий решается отдельно в каждом конкретном случае. Например, SiC, B4C и А14С3 образуются непосредственно на углеродной поверхности при силицировании, борировании и алюмини-ровании. Путем прямого взаимодействия с углеродсодержащей газовой фазой образуется упрочняющее покрытие из В4С на борном волокне. Пленку Si3N4 формируют на разных поверхностях пиролитическим осаждением и реактивным катодным распылением. Покрытие из нитрида алюминия ( в частности, на графите) получают напылением алюминия с последующим азотированием металлического слоя. [52]
На рис. 5.57 показаны последовательные стадии изготовления транзистора полупроводниковой интегральной схемы при плэнараой технологии. На кремниевой пластинке с выращенной эпитаксиальной пленкой n - тяпа, покрытой двуокисью кремния ( ряс. На таких изолированных островках формируются элементы полупроводниковой интегральвой схемы: транзисторы, диоды и резисторы. При формировании транзистора нз этом островке, являющемся коллекторной областью транзистора ( рис. 5.57, б), с помощью диффузии р-типа создается базовая область. На следующей стадии с помощью диффузии n - типа создаются эмиттер и коллекторный контакт ( рис. 5.57, г), а затем напылением алюминия создаются контакты базы, эмиттера, коллектора и подложки. [53]
Хотя сплавная технология транзисторов позволяет изготовить транзистор за счет небольшого количества операций, она не получила применения для изготовления мощных транзисторов в основном из-за того, что на больших площадях весьма трудно обеспечить плоский фронт сплавления. Сплавную технологию сменила диффузионная, которая позволила более тонко регулировать толщину легированных слоев. Конструкция кремниевого транзистора, изготовленного методами диффузии, изображена на рис. 6.3. Коллекторный переход / и р-слой получены диффузией алюминия в исходный кремний n - типа. Эмиттерный переход 2 и п - слой сформированы в результате диффузии фосфора в диффузионный р-слой. Для обеспечения малых сопротивлений контакта металл - полупроводник диффузией бора и фосфора созданы р - и гс - слои со стороны катода. Металлизация поверхности полупроводника осуществляется напылением алюминия. Кривая распределения разностной концентрации Nd - Na представлена на рис. 6.4. Характерной особенностью транзистора, изготовленного методом диффузии, является профиль распределения разностной концентрации примесей в базе, имеющий максимум в точке а. Правее точки а концентрация примеси понижается в направлении к коллекторному переходу, что обеспечивает наличие в этой части базы встроенного электрического поля, ускоряющего электроны. [54]
Страницы: 1 2 3 4