Нарушение - периодичность - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Дипломатия - это искусство говорить "хоро-о-ошая собачка", пока не найдешь камень поувесистей. Законы Мерфи (еще...)

Нарушение - периодичность

Cтраница 2


Граница кристалла является естественным нарушением периодичности потенциала кристаллической решетки.  [16]

17 Зависимость частоты колебаний о. [17]

Если в кристалле имеются нарушения периодичности, то среди нормальных колебаний имеются особые, отличающиеся тем, что в них принимают участие не все атомы кристалла, а только локализованные вблизи дефекта ( напр. Хотя их число невелико, они в ряде случаев определяют нек-рые физ.  [18]

Поверхность полупроводника представляет собой нарушение периодичности кристаллической решетки. Из-за этого возникают дополнительные энергетические уровни, расположенные в запрещенной зоне энергетической диаграммы полупроводника. Эти уровни, теоретически предсказанные И. Е. Таммом, называют уровнями Тамма. Уровни Тамма являются акцепторными, так как у атомов полупроводника ( например, кремния), находящихся у поверхности кристалла, оказывается всего по три соседних атома вместо четырех и, следовательно, отсутствует одна электронная связь.  [19]

20 Дефекты кристаллического строения. [20]

Точечными дефектами называются такие нарушения периодичности кристаллической решетки, размеры которых по всем трем пространственным координатам соизмеримы с размером атома.  [21]

Поверхность полупроводника представляет собой нарушение периодичности кристаллической решетки. Из-за этого возникают дополнительные энергетические уровни, расположенные в запрещенной зоне энергетической диаграммы полупроводника. Эти уровни, теоретически предсказанные И. Е. Таммом, называют уровнями Тамма. Уровни Тамма являются акцепторными, так как у атомов полупроводника ( например, кремния), находящихся у поверхности кристалла, оказывается всего по три соседних атома вместо четырех и, следовательно, отсутствует одна электронная связь.  [22]

Поверхность полупроводника представляет собой нарушение периодичности кристаллической решетки. Очевидно, при этом должна измениться и структура зон. Впервые этот вопрос был исследован в 1932 г. И. Е. Таммом, который теоретически показал, что обрыв кристалла вызывает появление дополнительных энергетических уровней, лежащих в запрещенной зоне. Эти дополнительные уровни должны быть акцепторными из-за того, что у атомов ( например, германия), лежащих на поверхности, окажутся незаполненными электронные оболочки, так как они имеют всего по три соседних атома вместо четырех ( ср.  [23]

Поверхность полупроводника представляет собой нарушение периодичности кристаллической решетки. Из-за этого возникают дополнительные энергетические уровни, расположенные в запрещенной зоне энергетической диаграммы полупроводника. Эти уровни, теоретически предсказанные И. Е. Таммом, называют уровнями Тамма. Уровни Тамма являются акцепторными, так как у атомов полупроводника ( например, кремния), находящихся у поверхности кристалла, оказывается всего по три соседних атома вместо четырех и, следовательно, отсутствует одна электронная связь.  [24]

На поверхности полупроводника происходит нарушение периодичности кристаллической решетки. Шре-дингера приводит к наличию разрешенных значений энергий в запрещенных ( для случая безграничной решетки) зонах.  [25]

Дефектами кристаллической решетки называют всякое нарушение периодичности расположения ее структурных элементов.  [26]

27 Гипоцентры землетрясений под архипелагом Тонго-Кермадек и асейсмичная полоса Гиндукуша. [27]

Только в 1973 г. произошло нарушение регулярной периодичности, возможно из-за хорошо известного изменения знака ускорения собственного вращения Земли в том же году.  [28]

Страховой запас создают на случай непредвиденных нарушений плановой периодичности поставок материалов на основе анализа фактических отклонений от плановых сроков поставки за прошлые годы или же на уровне половины планового срока между двумя очередными поставками.  [29]

Появление дефекта упаковки приводит к нарушению периодичности поля кристаллической решетки, и поэтому дефекты упаковки вызывают дополнительное рассеяние электронов и фононов. Результатом этих процессов является изменение физических: свойств кристаллов, связанных с переносом электронов или фононов.  [30]



Страницы:      1    2    3    4