Cтраница 4
Тамм [227] еще в 1932 г. показал, что нарушение периодичности кристалла у его поверхности приводит к появлению локальных поверхностных уровней энергии электронов, лежащих в запрещенной зоне. В ряде теоретических работ [228-230] было установлено, что эти поверхностные уровни могут быть либо пустыми, либо заполненными электронами частично. У поверхности полупроводников благодаря этому образуется двойной электрический слой, влияние которого на свойства можно обнаружить опытным путем. Экспериментальными исследованиями в этой области показано, что поверхностные уровни германия являются акцепторами. Такой вывод сделал, в частности, Покровский [231] на основании детального исследования зависимости электрических свойств пленок германия от температуры конденсации. [46]
Дефекты отличаются от сот по размерам, форме и нарушению периодичности структуры записи. [47]
Поверхность полупроводника, представляющая собой границу кристалла, является естественным нарушением периодичности идеального кристалла. [48]
Все типы деформационных дефектов в кристаллах являются не просто нарушением периодичности структуры исходного кристалла, а представляют собой элементы других структур. ГЦК-кристаллах есть элементы ГПУ-структуры, ограниченные частичными дислокациями, а протяженные дефекты упаковки и двойники в ГЦК-кристаллах с низкой энергией дефекта упаковки - планарные ГПУ-структуры на плот-ноупакованных плоскостях. В [8] убедительно показано, что и в ОЦК-кристаллах дислокации расщеплены и, следовательно, также являются фрагментами других структур. [49]
Кроме примесей и дефектов любой реальный кристалл содержит еще одно нарушение периодичности, связанное с его поверхностью. [50]
Во избежание вредных последствий децеитрировки, главное из которых заключается в нарушении периодичности, откуда следует невозможность даже с помощью рассеивателя выравнить овещенность, необходимо разработать методику контроля центрировки. [51]
При этом удается визуально наблюдать группы атомов в проекциях элементарных ячеек, нарушения периодичности атомов, дефекты в расположении атомных плоскостей и другие тонкие детали структуры. [52]