Нарушение - периодичность
Cтраница 3
 |
Искажение энергетических зон у поверхности полупроводника и образование различных поверхностных слоев. [31] |
Локальные энергетические уровни, обусловленные нарушением периодичности кристалла у поверхности полупроводника или примесями на поверхности, называют поверхностными уровнями. [32]
Несовершенство эксплуатации имеющихся обдувоч-ных устройств и нарушения периодичности очисток приводят к постепенному накапливанию шлака и росту газового сопротивления пароперегревателя в 3 - 5 раз по сравнению с начальным. В ряде случаев наступают ограничения по нагрузке, и спустя 2 - 4 мес. [33]
Так как центрами рекомбинации могут быть нарушения периодичности кристаллической решетки, то вполне естественно предположить, что поверхность полупроводника будет иметь большое количество рекомбинационных центров, так как на поверхности решетка обрывается. Следовательно, на поверхности может происходить более активная рекомбинация, чем в объеме полупроводника. [34]
Заряд двойного слоя в полупроводниках обусловлен нарушением периодичности структуры поверхности, дефектами поверхностей и наличием примесей. Плотность зарядов двойного слоя определяется числом свободных электронов. В пределе число свободных электронов равно числу атомов. В металлах концентрация электронов в поверхностном слое практически не изменяется при контакте с полупроводниками, хотя электрическое поле и проникает в глубь полупроводника. Поверхностная проводимость полупроводников весьма незначительна. Кроме того, полупроводники имеют большое число поверхностных состояний, что создает благоприятные предпосылки для повышения адгезии за счет донорно-акцепторных связей. [35]
Таким образом, для поверхности полупроводника характерно нарушение периодичности кристаллической решетки. При этом изменяется и структура зон. На поверхности полупроводника существует система дискретных или непрерывно распределенных энергетических уровней, происхождение которых связано в основном с адсорбцией примесей атомов или ионов, плотность этих уровней может быть произвольной. При достаточно высокой концентрации прверхностные уровни могут расщепляться в зону. [36]
Конечность размеров кристалла является одним из видов нарушений периодичности и проявляется в расширении узлов обратной решетки. [37]
Такие уровни присущи реальной поверхности и обусловлены нарушением периодичности структуры. Так, в работах [15, 16] экспериментально показано, что поверхности кристаллов, получаемых даже в состоянии, близком к атомарно чистому, существенно отличаются от идеального случая. [38]
ДЕФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ, подразделяют на микродефекты ( нарушения периодичности в расположении атомов, ионов или молекул в кристаллич. Образуются при росте кристаллов вследствие неравновесности условий роста и наличия примесей, а также под влиянием мех. [39]
В реальных металлах существуют причины, вызывающие такиг нарушения периодичности. Важнейшие из них искривления кристаллической решетки и внутренние напряжении, возниклие при образовании кристалла, и вкрапления посторонних атомов. [40]
Появление в кристаллической решетке чужеродных атомов приводит к точечным нарушениям периодичности потенциального поля. [41]
Дефект - искажение решетки реального кристалла, вызванное нарушением периодичности расположения атомов, последовательности в расположении атомных слоев, а также создаваемое введенными атомами примеси. [42]
Линейные ( одномерные) дефекты характеризуются тем, что нарушения периодичности простираются в одном измерении на расстояния много большие параметра решетки, тогда как в двух других измерениях они не превышают нескольких параметров. [43]
 |
Упорядоченное расположение атомов в AuCu ( а, АиСиз ( б и. [44] |
Появление сверхструктурных линий свидетельствует, что упорядочение происходит без нарушения периодичности размещения в больших объемах, вплоть до объемов отдельных кристаллов. Такое размещение атомов в кристалле твердого раствора указывает на возникновение дальнего порядка. [45]
Страницы: 1 2 3 4