Нарушение - кристаллическая решетка
Cтраница 1
Нарушения кристаллической решетки могут быть разнообразными. В результате воздействия внешних сил, все равно каких, будь то механическое воздействие или расширение от неоднородного нагрева, в кристаллах могут возникнуть сильные напряжения. Сильно напряженные области могут оставаться в кристаллах, после устранения внешних деформирующих сил. Эти остаточные напряжения имеют большое практическое значение: они могут быть полезными, повышая прочность материала, но могут быть и опасными, вызывая образование трещин при закалке. Напряжения могут приводить к сжатию, сдвигу, изгибу или закручиванию отдельных кристалликов. Методы дифракции рентгеновских лучей позволяют точным измерением межплоскостных расстояний по дебаеграммам и формы пятен по лауэграммам определять тип и величину возникающего напряжения. [1]
Нарушения кристаллической решетки исследуются И. Я. Мелик-Гайказян оптическими методами по F-полосе поглощения. [2]
Нарушения кристаллической решетки при катионном обмене по происходит. [3]
 |
Схема реализации скольжения путем поочередного смещения атомов в активной плоскости монокристалла ( по Тейлору. [4] |
Нарушения непрерывной кристаллической решетки и заметная субструктура действительно имеют место, особенно на поверхности образцов, и действительно оказывают значительное влияние на прочность металла, вызывая существенное ее понижение. [5]
Вторую группу нарушений кристаллической решетки составляют одномерные, линейные дефекты, называемые дислокациями, и двумерные, поверхностные дефекты. [6]
 |
Проверка правила Вальдена - Пнсар - 300 400 500 600 70lf. [7] |
И все же нарушение кристаллической решетки при плавлении приводит, как правило, к большему или меньшему, но скачкообразному росту удельной электрической проводимости, связанному с увеличением подвижности ионов. [8]
Наличие поверхности означает граничное нарушение кристаллической решетки, особенно резкое для ионных и ковалентных пространственных сетчатых структур. Находящиеся на поверхности твердого тела атомы или ионы являются или координационно ненасыщенными, как например, в ионной решетке, или обладают свободными валентностями в атомной решетке. Поэтому между адсорбентом и адсорбатом может возникать довольно прочная связь. Прочность связи адсорбированных частиц с поверхностью изменяется в широких пределах в зависимости от природы и прочности связей внутри адсорбента и поверхностных оксидов и гидроксидов. [9]
Ионное легирование полупроводников: нарушения кристаллической решетки и электрические свойства легированных слоев. [10]
Под радиохимическим изменением понимается нарушение кристаллической решетки, происходящее в результате радиоактивного распада, и изменение химического состояния вещества под действием радиоактивного излучения. [11]
Связанные с пластичным деформированием нарушения кристаллической решетки становятся видимым под действием анодного глянцевания. [12]
Так как фотографическая эффективность нарушения кристаллической решетки или как ловца фотоэлектронов ( центра светочувствительности), или как каталитически активного по отношению к проявлению центра ( центра вуали) должна быть связана до известного предела с увеличением геометрического размера центра, то можно предположить, что во втором созревании основную роль должен играть процесс образования серебряных центров. Действительно, при детальном изучении картины химического созревания путем сопоставления микроанализов с сенситометрическими характеристиками была установлена ( см. раздел III.3) четко выраженная сопряженность кинетических кривых для свободного серебра, изменения светочувствительности и роста вуали. Эта сопряженность состоит в том, что окончание индукционного периода образования свободного серебра совпадает во времени как с максимумом светочувствительности, так и с окончанием индукционного периода роста вуали. Напротив, явной зависимости между изменением фотографических - свойств эмульсии и процессом накопления серы установлено не было. Для этого достаточно выбрать какую-нибудь характеристическую точку на кривых изменения светочувствительности или вуали в процессе второго созревания и по ее положению во времени судить о скорости протекающего процесса, рассматривая его как некоторую топохими-ческую реакцию восстановления. [13]
В реальных кристаллах из-за нарушений кристаллической решетки средняя скорость пробега электронов снижается. [14]
Легирование европием приводит к нарушению кристаллической решетки, благодаря чему повышается подвижность фторид-ионов в мембране. Гидроксид-ионы в концентрации выше 10 - 5 М создают основные помехи, по-видимому, в результате конкуренции с фторид-ионами вследствие низкой растворимости гидроксида лантана. [15]
Страницы: 1 2 3 4