Нарушение - кристаллическая решетка
Cтраница 2
Миграция радиоактивных изотопов но нарушениям кристаллической решетки происходит за счет диффузии. Поведение радиоактивного изотопа зависит от энергии ядер отдачи и от продолжительности его жизни. Чем больше энергия отдачи, тем, при прочих равных условиях, большее количество радиоактивного изотопа попадает в капилляры, и чем больше продолжительность его жизни, тем более эффективна диффузия по нарушениям кристаллической решетки. [16]
Миграция радиоактивных изотопов по нарушениям кристаллической решетки происходит за счет диффузии. [17]
Под понятием структура подразумеваются все нарушения кристаллической решетки, влияющие на деформацию, такие, как дислокации, точечные дефекты, границы зерен и др. Поэтому структуру едва ли можно охарактеризовать количественно. [18]
В заключение раздела отметим, что нарушения кристаллической решетки способствуют увеличению скорости роста графита. Так, при наращивании исходных углеродистых материалов, например сажи, постоянная скорость роста устанавливается после нанесения нескольких монослоев графита. Это вызывается тем, что на исходной поверхности присутствуют уже готовые ступени роста, которые достраиваются при осаждении. [19]
Проникшая в полупроводник частица высокой энергии создает многочисленные нарушения кристаллической решетки: вакансии, междоузель-ные атомы, скопления дефектов и различные вакансионно-примесные комплексы. [21]
Увеличение пересыщения при выращивании кристаллов приводит к нарушениям кристаллической решетки, способствует образованию собственных дефектов и, следовательно, г-цсптров рекомбинации. В пользу этого говорит н тот факт, что из монокристаллов II типа при низких пересыщениях получаются кристаллы I тина с такими же физическими свойствами, а при оптимальных пересыщениях - кристаллы с наибольшей фоточувствителышстыо. Значительное увеличение избыточного висмута в кристалле приводит как к уменьшению числа вакансий Bi, так и к значительным па рушениям кристаллической решетки. [22]
Материнские радиоактивные изотопы также могут попадать в капилляры и нарушения кристаллической решетки за счет ее разрушения, тогда они находятся, по-видимому, в гидролизных формах. [23]
Материнские радиоактивные изотопы также могут попадать в капилляры и нарушения кристаллической решетки за счет ее разрушения, тогда они находятся, по-видимому, в гидролизных формах. [24]
По аналогии с процессами, происходящими при закалке, нарушения кристаллических решеток металлов при бомбардировке тяжелыми частицами называют эффектом закалки. Последующей термической обработкой оказывается возможно устранить эти нарушения решетки, что описывается как эффект отжига. При действии на металлы легких частиц ( р-излучение, быстрые электроны) и j - излучения подобных эффектов наблюдать не удается. [25]
 |
Зависимость числа образующихся кристаллов от вре - мсни выдержки электрода в электролите без тока при 20 С 5. [26] |
Следует отметить, что механическое активирование нельзя рассматривать как нарушение кристаллической решетки электрода, приводящей к увеличению числа кристаллографически-активных мест. Если электрод оставить без тока в электролите, то соскобленные участки электрода не имеют преимущества по сравнению с остальной частью поверхности. [27]
Таким образом, плотность дислокаций и вызываемая ею степень нарушения кристаллической решетки достаточно высоки, особенно если учесть, что в отличие от точечных дефектов дислокации вызывают нарушения дальнего порядка. [28]
 |
Получение металлического покрытия методом электролитического осаждения. [29] |
Осаждение покрытия начинается с образования центров кристаллизации в местах нарушения кристаллической решетки основного металла ( например, структурных дефектов на поверхности) с последующим ростом кристаллов осаждаемого металла от места образования. [30]
Страницы: 1 2 3 4