Cтраница 3
Расширение интерференционных линий может вызываться мелкими размерами кристаллитов или нарушениями кристаллической решетки. При наличии в молекуле целлюлозы посторонних групп может нарушаться кристаллическая решетка. Являются ли причиной расширения интерференционных линий дефекты кристаллической решетки или это расширение обусловлено мелкими размерами кристаллитов, в настоящее время еще недостаточно выяснено. [31]
Оказывается, что гидрид урана легче всего образуется в местах нарушений кристаллической решетки, например на границах зерен или на границе раздела матрицы металла и какого-либо неметаллического включения. Во время выдержки в среде водорода такие гидридные включения могут расти в направлении этих нарушений и проникать вглубь от поверхности образца. [32]
Роль примесей могут играть не только чужеродные атомы, но и нарушения кристаллической решетки. [33]
По этой причине для снижения уровня шумов необходимо свести к минимуму число нарушений кристаллической решетки полупроводникового материала, обеспечить чистоту и пассивацию окисных слоев, а также уменьшить объем пространственного заряда р - - перехода затвора. [34]
Прокатка Pd-фольги параллельно поверхности приводит к появлению плоскости ( ПО), нарушениями кристаллической решетки и вакансиям. Отжиг в вакууме при 200 - 300 С сопровождается уменьшением активности ( рис. 9), а затем некоторым ее увеличением выше 600 С. Отмечается возможное наличие на поверхности Pd двух типов центров, отличающихся как по активности и термической устойчивости, так и по стойкости к отравлению СО. [35]
Как известно, выделение цеолитной воды происходит полностью или до известного предела без нарушения кристаллической решетки. Цеолитная вода в различных химических соединениях, обладающих вяжущими свойствами, и, в частности, в орто - силикатах кальция, стронция и бария, располагается в полостям: решетки, соединенных сквозными каналами. [36]
Ввиду того что используемые в опытах кристаллы германия не являются идеальными и имеют нарушения кристаллической решетки ( дислокации) и отдельные скопления примесных атомов, существуют условия для возникновения местной дополнительной генерации дырок и электронов в сильных электрических полях на границе с электролитом. [37]
Вместе с тем ультразвуковая обработка вызывает частичное разрушение первичных агрегатов, увеличение числа нарушений кристаллической решетки и освобождает дополнительные резервы энергии связи для образования коагуляционной структуры ( рис. 98, позиц. Такие изменения хорошо подтверждаются ростом наибольшей пластической вязкости, быстрых эластических деформаций и понижением пластических деформаций. Увеличиваются период истинной релаксации, коэффициент устойчивости и снижается эластичность и статическая пластичность. [38]
Примерно половина воды, входящей в состав вермикулита, теряется при 110 С без нарушения кристаллической решетки. [39]
В первой стадии атомы какого-либо элемента благодаря радиоактивной отдаче или разрушению кристалла попадают в нарушения кристаллической решетки. [40]
Таким образом, для выяснения причин фотографической чувствительности прежде всего важно установить химическую природу примесных нарушений кристаллической решетки эмульсионных зерен, а затем их влияние на фотографические свойства эмульсии. Такая задача решалась путем изучения реакций, которые возникают в растворе желатины в присутствии ионов серебра, и сравнения с топохимическими процессами в эмульсионной среде. [41]
Для получения более эчных данных необходимо учесть изменение размеров элементарной шйки, обусловленное такими нарушениями кристаллической решетки, ж наличие других сомономерных звеньев, а также конечной толщины мели. Оказалось, что зависимость размеров элементарной ячей - [ от толщины ламели различна для кристаллов, выращенных из расп ла-i и раствора. Однако экстраполированное значение поперечного сече - 1Я цепи ( - СН2 - ) п для больших кристаллов в обоих случаях одина -) во ( 18 242 0 002 А2 при 19 С) и находится в хорошем соответст-щ с площадью поперечного сечения ( 18 263 0 025 А2 при 19 С), феделенной для кристаллов полиэтилена из вытянутых цепей, полу-нных при кристаллизации под давлением. [42]
Таким образом, вывод о том, что продукты радиоактивного распада находятся главным образом в нарушениях кристаллической решетки, полностью подтверждается исследованиями методом сравнительной возгонки. [43]
В неорганических ( ионных) кристаллах, кроме описанного действия ионизирующих излучений, имеют место процессы нарушения кристаллической решетки - образование дефектов: анионных и катионных вакансий, внедренных атомов, дислокаций разного рода, клиньев смещения. [44]
Завершая рассмотрение взаимодействия точечных дефектов с доменными границами, рассмотрим здесь же кратко случай родственных им нарушений кристаллической решетки - так называемых несегнетоэлектрических включений. Взаимодействие указанных дефектов с доменными стенками связано с конечностью их размеров и обусловлено как минимум двумя причинами. [45]