Нарушение - сплошность - материал
Cтраница 2
Прирост трещины, соответствующий нарушению сплошности материала в цикле нагружения, не может быть менее одного межатомного расстояния. На поверхности образца в эксперименте могут быть зафиксированы скорости на несколько порядков меньше, чем прирост трещины на величину межатомного расстояния за цикл нагружения. Причины такого расхождения результатов экспериментов с физикой поведения материала будут обсуждены далее. [16]
Наличие дислокационных скоплений может обусловить нарушение сплошности материала и развитие микротрещин. [17]
Аппаратура вихретокового вида контроля уверенно обнаруживает нарушения сплошности материала изделия, находящегося в поверхностном слое, равном глубине проникновения вихревых токов, но ее чувствительность существенно падает при попытке обнаружить дефект, залегающий на большей глубине. [18]
Усталостные изломы представляют собой непосредственный результат нарушения сплошности материала и являются своеобразной фотографией истории разрушения. При усталостном разрушении на изломе можно обнаружить две зоны: одну мелкозернистую, принимающую даже фарфоровидное строение, а иногда и блестящий шлифований вид, и другую - с волокнистым строением. [19]
Необходимым условием выявления капиллярным контролем дефектов нарушения сплошности материала типа полостных, имеющих выход на поверхность объекта и глубину распространения, значительно превышающую ширину их раскрытия, является относительная их незагрязненность посторонними веществами. [20]
Под дефектом в узком смысле слова понимают нарушение сплошности материала или неоднородности, характеризующееся резким изменением его свойств. Обнаружение несплошностей с помощью СВЧ-излучений, как правило, возможно при размерах дефектов, соизмеримых с длиной волны колебаний в основном материале и с раскрывом антенн, или дефектов большей величины. Однако разрешающая способность при этом получается небольшой из-за того, что даже малые вариации толщины или электромагнитных свойств контролируемого объекта ( как от партии к партии, так и на разных участках в пределах одного объекта) приводят к появлению СВЧ-сигналов, превышающих сигналы от дефектов минимальных размеров, а часть полезной информации, содержащаяся в изменении фазы, может быть потеряна. Поэтому, чтобы получить высокую разрешающую способность аппаратуры к дефектам, обычно используют метод самосравнения. Для его реализации необходимо иметь два комплекта излучающих и приемных устройств ( см. § 4.9), размещаемых на близких участках контролируемого объекта. В этом случае выходной сигнал будет определяться разностью амплитуд и фаз сигналов почти от одинаковых участков объекта и при малом градиенте толщины и электромагнитных свойств по его длине, разрешающая способность аппаратуры существенно возрастает, так как дефект приводит к резкому изменению одного из сигналов. Выявляемый дефект с минимальными размерами при определенном режиме работы аппаратуры зависит от непостоянства толщины и электромагнитных свойств контролируемого объекта в направлении, в котором смещены комплекты излучательно-приемных устройств. С этой точки зрения необходимо располагать их максимально близко друг к другу, однако такое сближение затруднено затеканием СВЧ-токов из одного тракта в другой и взаимными наводками, а также касанием антенн. Кроме того, дефект или его края не должны одновременно попадать в зону контроля приемно-излучающих устройств. [21]
При нагружении поликристаллов возможность протекания макродеформации без нарушения сплошности материала существенно зависит от способности смежных зерен к самосогласованному формоизменению. В малопластичных и хрупких материалах в зонах концентраторов напряжений при относительно низких средних напряжениях зарождаются микротрещины и материал быстро разрушается. Аналогичная картина имеет место и в композиционных материалах: концентрация напряжений в зонах стесненной деформации из-за отсутствия эффективной диссипации в матрице не успевает релаксировать и образуются несплошности материала и разрушение при небольших степенях деформации. Если провести аналогию с поликристаллами и дальше, то следует ожидать, что переход к макродвижению элементов структуры как целого приведет к интенсификации пластической деформации и эффективной диссипации упругой энергии. [22]
Приборы типа Рисспрюфгерет предназначены специально для выявления нарушений сплошности материала. [23]
Как известно, деформирование и разрушение бетона сопровождается процессом нарушения сплошности материала из-за развития в нем микротрещин и трещин большей протяженности. Причем трещины ориентируются в зависимости от направления главных напряжений или деформаций. [24]
Теневой метод основан на получении звуковой тени в местах нарушения сплошности материала. [25]
Теневой метод основан на получении звуковой тени в местах нарушения сплошности материала. Этот метод позволяет определять размеры, а иногда и конфигурацию дефектов, но не дает возможности судить о глубине их залегания. Возможность использования теневого метода зависит от размеров иммерсионной ванны и конфигурации изделия. [26]
Теневой метод основан на получении звуковой тени в местах нарушения сплошности материала. На установке УЗД-3 получают осциллограммы просвечивания. Ультразвуковые колебания, посылаемые пьезоэлектрическим излучателем в материал изделия 3 ( рис. 196), улавливаются приемной пьезоэлектрической головкой 2, усиливаются и передаются на электроннолучевой индикатор, на экране которого появляется изображение электрических колебаний. [27]
 |
Схема определения удельной работы рапространения трещины о, по деформационным характеристикам разрушения. [28] |
Допускается, что, по крайней мере, до момента нарушения сплошности материала в устье трещины, гипотеза плоских сечений [88] остается в достаточной степени справедливой. Толщину и механические свойства исследуемого металла рассматриваем как постоянные. При таком допущении для определения величины ар достаточно рассмотреть лишь одно сечение, перпендикулярное направлению движения трещины. [29]
Концентрацией напряжений называется повышение напряжений в местах изменений формы или нарушений сплошности материала. [30]
Страницы: 1 2 3 4