Инверсная населенность
Cтраница 1
Инверсная населенность в полупроводнике может быть получена различными методами возбуждения. Одним из них, наиболее распространенным в настоящее время, является ин-жекция неравновесных носителей в электронно-дырочном переходе полупроводникового диода. [2]
Инверсная населенность и генерация на ионизованных атомах в газовом разряде получена на переходах, принадлежащих 29 элементам. Так как для работы лазеров данного типа требуется значительная ионизация, пороговые плотности тока через разряд значительно выше, чем для лазеров на нейтральных атомах. Процесс создания инверсии обычно протекает в две ступени: сначала электронным ударом вызывается ионизация, а затем уже происходит возбуждение ионов в верхнее лазерное состояние. Механизмы возбуждения на второй ступени во многом подобны механизмам, описанным в разд. [3]
Инверсная населенность образуется при малом значении Q ( фиг. [4]
Инверсная населенность образуется при малом значении Q ( фиг. И, а), а генерация возникает при положении призмы, изображенном на фиг. [5]
 |
Зависимость интенсивности излучения от уровня накачки. / 12 см, р 0 03 см 1. [6] |
Инверсная населенность по мере приближения к излучающему зеркалу уменьшается, в чем нетрудно убедиться, используя формулу ( VII. Неоднородность распределения J и А вдоль активного образца оказывается особенно большой при коэффициентах отражения зеркал, сильно отличающихся от единицы. [7]
Инверсная населенность и генерация на ионизованных атомах в газовом разряде получена на переходах, принадлежащих 29 элементам. Так как для работы лазеров данного типа требуется значительная ионизация, пороговые плотности тока через разряд значительно выше, чем для лазеров на нейтральных атомах. Процесс создания инверсии обычно протекает в две ступени: сначала электронным ударом вызывается ионизация, а затем уже происходит возбуждение ионов в верхнее лазерное состояние. Механизмы возбуждения на второй ступени во многом подобны механизмам, описанным в разд. [8]
 |
Схема генерации лазера ионов - а остальная беспо. [9] |
Созданная инверсная населенность N и соответственно коэффициент усиления света активной среды ка обеспечивает генерацию света внутри резонатора лазера. [10]
Поэтому начальная инверсная населенность Л / ро максимальная и равна стационарной ненасыщенной населенности Ne. Отсюда ясно, что нормированная начальная инверсная населенность NpQ равна превышению порога генерации а Рн / Япор, введенному для лазера с непрерывной генерацией. [11]
 |
Возможные варианты использования четырехуровневой системы. [12] |
Получение инверсной населенности обусловлено преобладанием вероятности W2 ] релаксационных переходов над всеми остальными релаксационными вероятностями. [13]
 |
Энергетическая схема уровней неона, показывающая совпадение уровней неона с уровнями гелия 23Р2 i o, Si, 21So и 2 Pi и лазерные, переходы, наблюдаемые в смеси Не-Ne. [14] |
Получение инверсной населенности возможно также и с возбужденного уровня, если он достаточно хорошо заселен. Следует отметить, что для нейтральных атомов случаи совпадения длин волн оптических переходов крайне редки. Если возбужденнее состояние связано радиационным переходом с основным состоянием, то из приближения Борна без учета электронного обмена следует, что это возбужденное состояние селективно возбуждается в результате неупругих столкновений электронов с атомами. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5