Инверсная населенность
Cтраница 2
 |
КПД некоторых типов твердотельных лазеров.| Четырехуровневая схема работы квантовых усилителей и генераторов. [16] |
Условие инверсной населенности является необходимым, но недостаточным для получения усиления и генерации электромагнитного излучения. В реальных веществах всегда имеются причины дополнительного ослабления электромагнитной волны, не связанные с переходами между рабочими уровнями. Для получения усиления вынужденное излучение должно компенсировать все потери электромагнитной энергии в веществе, поэтому к оптическим свойствам активных материалов квантовой электроники предъявляются весьма жесткие требования. Жесткие требования предъявляются также к их механическим и теплофизическим свойствам. [17]
Создание инверсной населенности в рабочей среде является необходимым условием получения экологически чистого лазерного излучения, но недостаточным. Причем, если принять КПД лазера равным 10 %, что является средней величиной для некоторых газовых оптических квантовых генераторов ( для твердотельных ОКГ эта величина еще меньше), то 90 % подводимой внешней энергии бесполезно рассеивается в виде тепловых загрязнений в окружающую среду. Иными словами, сравнительно низкое значение энтропии для лазерной подсистемы, обладающей высоким качеством энергии излучения, обеспечивается значительно большим приращением энтропии для всей общей системы, включая внешние источники накачки и окружающую среду. [18]
Получение инверсной населенности в рубиновом стержне осуществляется по трехуровневой схеме. [19]
 |
Четырехуровневая схема работы квантовых усилителей и генераторов. [20] |
Условие инверсной населенности является необходимым, но недостаточным для получения усиления и генерации электромагнитного излучения. В реальных веществах всегда имеются причины дополнительного ослабления электромагнитной волны, не связанные с переходами между рабочими уровнями. Для получения усиления вынужденное излучение должно компенсировать все потери электромагнитной энергии в веществе, поэтому к оптическим свойствам активных материалов квантовой электроники предъявляются весьма жесткие требования. [21]
 |
Энергетическая схема уровней неона, показывающая совпадение уровней неона с уровнями гелия 23P2. ( h 23Si, 2 So и 2 Pi и лазерные переходы, наблюдаемые в смеси Не-Nc. [22] |
Получение инверсной населенности возможно также и с возбужденного уровня, если он достаточно хорошо заселен. Следует отметить, что для нейтральных атомов случаи совпадения длин волн оптических переходов крайне редки. Если возбужденнее состояние связано радиационным переходом с основным состоянием, то из приближения Борна без учета электронного обмена следует, что это возбужденное состояние селективно возбуждается в результате неупругих столкновений электронов с атомами. [23]
 |
Схема устройства квантового генератора на пучке молекул аммиака. [24] |
Добиться инверсной населенности системы, используя лишь два энергетических уровня, невозможно. [25]
С инверсной населенностью уровней иногда связывают понятие отрицательной температуры. [26]
В результате инверсная населенность не успевает устанавливаться за полем излучения и между ними возникают релаксационные, сдвинутые по фазе колебания. В газовых лазерах время установления инверсной населенности обычно меньше, чем у поля. [27]
Вследствие этого инверсная населенность красителя снимается самим вынужденным излучением, в результате чего усиление быстро снижается до значений ниже уровня потерь. [28]
Как создается инверсная населенность уровней в полупроводниковых лазерах. [29]
Поскольку создание инверсной населенности, необходимой для получения генерации, связано с сильным возбуждением вещества, то активные среды лазеров, как правило, интенсивно люминесцируют. При этом спектр усиления частично перекрывается со спектром люминесценции ( см. рис. 118), а интенсивность люминесценции, распространяющейся в усиливающей среде, возрастает экспоненциально. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5