Инверсная населенность

Cтраница 3

Уравнение для инверсной населенности усредняется по длине активного образца, а не всего резонатора. [31]

Равновесное распределение ( а и инверсная населенность ( б. [32]

В случае инверсной населенности ( рис. 9.3, б) из двух выбранных уровней верхний уровень должен обладать инверсией ( обращением) населенности, что соответствует неравновесному состоянию. Иногда пользуются понятием отрицательной температуры. [33]

Для установления инверсной населенности необходимо, чтобы суммарное поглощение в данном переходе было отрицательным. [34]

Рассмотрим создание инверсной населенности на примере трехуровневой системы, используемой в рубиновых лазерах. [35]

Для создания инверсной населенности рубин облучают мощным импульсом света. Фотоны внешнего облучения с частотой 02 не могут создать инверсную населенность между уровнями 2 и 0, так как при выравнивании их населенностей вероятность поглощения фотона сравняется с вероятностью его вынужденного испускания. [36]

Распределение возбужденных частиц по энергетическим уровням в состоянии термодинамического равновесия.| Три энергетических уровня вещества. Wi WzWa. [37]

Методы получения инверсной населенности разнообразны. Так, например, в квантовых молекулярных генераторах применяется м е - т од сортировки молекул по двум энергетическим уровням. Он рассмотрен в дальнейшем при описании работы квантового генератора на пучке молекул аммиака. [38]

Для получения инверсной населенности важно также соотношение времен жизни уровней 4 и 3 рабочего перехода. При этом условии скорость убывания населенности верхнего уровня меньше скорости убывания населенности нижнего уровня и таким образом возможно поддержание инверсной населенности. [39]

Для получения инверсной населенности используются энергетические уровни атомов и ионов, входящих в состав твердых веществ. Концентрация частиц в твердых веществах на несколько порядков больше, чем в газовых ОКГ. Поэтому имеется возможность получать большую населенность энергетических уровней, усиление и мощность на единицу объема. [40]

Для получения инверсной населенности системы в квантовой электронике используется ряд методов. Этот процесс будет протекать до насыщения перехода 1 - 3, когда число частиц на уровнях Е и Е3 окажется одинаковым. [41]

Принципиальная конструкция газодинамического лазера с тепловым возбуждением [ 14. [42]

Для достижения большей инверсной населенности должно существовать определенное соотношение между температурой, давлением, составом газовой смеси и характерным размером газодинамической системы. [43]

Процесс создания инверсной населенности рабочего перехода происходит следующим образом. Неупругие удары электронов вызывают возбуждение колебательных уровней молекулы СО2 и азота. Уровни 6 и 5 имеют большое время жизни. Этот процесс называют вращательной релаксацией. Времена жизни более низких уровней 3 и 2 также малы, но вследствие колебательной релаксации. [44]

Схема энергетических уровней полупроводникового лазера. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5