Насыщение - транзистор
Cтраница 1
 |
Схема ненасыщенного триггера с нелинейной обратной связью. [1] |
Насыщение транзистора приводит к увеличению продолжительности стадии подготовки, а следовательно, к уменьшению быстродействия триггера. Поэтому в быстродействующих схемах применяются ненасыщенные триггеры, в которых предотвращается насыщение открытого транзистора, благодаря чему сокращается продолжительность времени переброса триггера и соответственно повышается его быстродействие. [2]
Насыщение транзистора принято оценивать коэффициентом насыщения. [3]
Насыщение транзистора, критерием которого является равенство напряжения на коллекторном переходе нулю, наступает при небольших отрицательных напряжениях между коллектором и эмиттером. Это объясняется тем, что напряжение UR в схеме с общим эмиттером равно сумме напряжений на обоих переходах. [4]
 |
Схемы с транзистором. а - общий эмиттер. б - общая база.| Параметры переключения транзистора.| Характеристики транзистора. а - общий эмиттер. б - общая база. [5] |
Насыщение транзистора может иметь место в том случае, если между базой и коллектором напряжение подано в прямом направлении. Подобное положение возникает в тех случаях, когда сигнал на входе транзистора превышает нагрузочную способность его выхода. В этом случае ток коллектора Ic Vcc / RLt где V сс - напряжение питания коллектора, RL - сопротивление нагрузки. Насыщение наступает вследствие того, что неосновные носители инжектируются в базу с большей скоростью, чем они могут собираться коллектором. Эти носители накапливаются в базе, увеличивая прямое напряжение база - Коллектор. Ток базы увеличивается, так как носители поступают в базу как из эмиттера, так и из коллектора. [6]
Насыщение транзистора ТЗ повышает помехоустойчивость устройства во время зарядки Св. Рассмотренный метод повышения устойчивости работы схем в условиях сильных помех может быть применен и для других функциональных узлов. [7]
 |
Модифицированная схема включения эмиттерного повторителя.| Симметричная схема мультивибратора с дополнительными элементами, обеспечивающими мягкий режим самовозбуждения. [8] |
Однако насыщение транзисторов уменьшает быстродействие схемы и делает возможным режим жесткого самовозбуждения. [9]
После насыщения транзистора Т2 правая обкладка конденсатора оказывается связанной с корпусом устройства через малое выходное сопротивление каскада на насыдснном транзисторе Т2; напряжение на левой обкладке, равное Uт, приложено к базе ТЛ. Конденсатор С начинает разряжаться. [10]
После насыщения транзистора входной импульс может быть снмг, но транзистор останется открытым. [11]
Для насыщения транзистора Г4 величина его тока коллектора должна быть меньше величины / б4максЙ21э4шга - Величиной. [12]
После насыщения транзистора характер движения носителей в базовом переходе несколько изменяется, становится менее упорядоченным. Это приводит к изменению среднего эффективного времени жизни носителей. [13]
После насыщения транзистора прекращается заряд емкости С2 и она начинает разряжаться через резистор R. Конденсатор С в это время также разряжается через насыщенный транзистор и резистор R. Напряжение на выходе по мере разряда С и С2 уменьшается до нуля. [14]
После насыщения транзистора входной импульс может быть снят, но транзистор останется открытым. [15]
Страницы: 1 2 3 4