Насыщение - транзистор
Cтраница 4
 |
Принципиальная схема потенциально-импульсного счетного триггера.| Принципиальная схема счетного триггера типа К2ТК171. [46] |
При высокой степени насыщения транзистора ( а она необходима для обеспечения высокой нагрузочной способности и помехоустойчивости) это приводит к увеличению емкости конденсатора, что в свою очередь снижает быстродействие элемента. [47]
Чтобы обеспечить режим насыщения транзистора, его ток базы / Б выбирается больше критического значения тока базы. [48]
Последний запирается при насыщении транзистора Тг. Таким образом, схема переходит во второе устойчивое состояние, когда транзистор Тг заперт, а транзистор Тг - насыщен. [49]
Если условия отсечки и насыщения транзисторов в триггере выполнены, то заведомо выполнено и условие обеспечения лавинных переключений схемы. [50]
Более практично не допускать насыщения транзистора, поД - держивая UK. [51]
Еще один способ избежать насыщения транзистора заключается в том, чтобы фиксировать его коллекторный ток и сопротивление нагрузки так, чтобы напряжение на коллекторном переходе не падало ниже допустимого предела во избежание насыщения. Примером таких схем может служить переключатель тока ( рис. 5 - 2, в), очень похожий по принципу действия на дифференциальный усилитель. [52]
Однако условия запирания и насыщения транзистора в схеме будут обеспечены только при определенных соотношениях между параметрами входящих в схему элементов. Выявление этих условий обеспечения статических состояний ключа и является первой из задач анализа ключевого каскада. Для получения минимально возможного выходного тока / К0 требуется создать положительное напряжение на базе транзистора. [53]
 |
Логическая схема НЕ с форсирующей емкостью. [54] |
Оба эти метода предотвращают насыщение транзистора и задержку, связанную со временем рассасывания неосновных носителей. [55]
Если условия отсечки и насыщения транзисторов в триггере выполнены, то заведомо выполнено и условие обеспечения лавинных переключений схемы. [56]
Усилитель-ограничитель, в котором насыщение транзистора предотвращается при помощи нелинейной обратной связи, действующей через диод Дос ( рис. 3.23), работает следующим образом. [57]
Этот ток должен обеспечивать надежное насыщение транзистора TI. Коллекторный ток насыщенного транзистора состоит также из двух составляющих: тока, протекающего через резистор RK, и тока, потребляемого делительной цепью. Но ток делительной цепи значительно меньше тока коллектора. [58]
Неравенство (6.7) выражает условие насыщения транзистора с заданной глубиной, записанное через параметры инвертора. Величины напряжений следует подставлять в него без учета знака. [59]
Страницы: 1 2 3 4