Насыщение - транзистор
Cтраница 2
После насыщения транзистора начинается стадия накопления носителей заряда в базе. [16]
Для насыщения транзистора T величина его тока коллектора / К4МЭКС должна быть меньше величины / 64 макс 4 мин. [17]
Степень насыщения транзистора характеризуется коэффициентом насыщения, равным ( см., напр. [18]
Коэффициент насыщения транзистора предварительно определяется из графика на рис. 8.15. Для обеспечения времени включения tSKS0 8 мксек минимальная степень насыщения должна быть равна двум. [19]
Коэффициент насыщения транзистора в режиме переключения - отношение тока базы биполярного транзистора в открытом состоянии к значению тока базы, при котором рабочая точка транзистора переходит из активной области на границу насыщения области. [20]
Режим насыщения транзистора характеризуется малым падением напряжения на р-п переходах, так как они смещены в прямом направлении. [21]
Для надежного насыщения транзистора необходимо, чтобы условие (3.3) выполнялось при / шэ - Ьпэпип - Ве-личина SH гб / / б н 1 называется коэффициентом насыщения транзистора. [22]
Для надежного насыщения транзистора необходимо, чтобы условие (3.3) выполнялось при / шэ faidmin - Величина SH / Б / / Б н 1 называется коэффициентом насыщения транзистора. [23]
Условием насыщения транзистора типа р-п - р является положительный потенциал коллектора по отношению к базе. [24]
 |
Электрическая схема статического триггера ( а и ее общепринятое на. [25] |
При насыщении транзистора Т2 обеспечивается самое малое напряжение на выходе триггера, что желательно для его нулевого состояния. В режиме, когда насыщен транзистор Т1 и работает в режиме отсечки Т2, выходное напряжение ывых является самым большим. Такие состояния транзисторов желательны для единичного состояния триггера. Понятно, что насыщения одного транзистора и закрытого состояния другого можно добиться лишь при определенных, правильно выбранных параметрах схемы. [26]
При насыщении транзисторов начинается формирование импульса, мощность которого определяется мощностью низкочастотного транзистора. [27]
Рассмотрим условие насыщения транзистора в триггере и вычислим токи насыщенного транзистора. [28]
 |
Схема трехкаскадного усилителя в режиме переключения. [29] |
Для обеспечения насыщения транзистора Г2 необходим дополнительный низковольтный источник или сопротивление, включенное в его коллекторную цепь. Для обеспечения возможности запирания составного транзистора необходимо цепи эмиттер - база всех транзисторов, кроме последнего, блокировать диодами. [30]
Страницы: 1 2 3 4