Автолегирование

Cтраница 1

Автолегирование при малых количествах цинка ведет к образованию пленок с неоднородным или плавно изменяющимся распределением примеси; при повышении концентрации цинка эффект автолегирования подавляется. [1]

Автолегирование бором эпитаксиальных слоев кремния. [2]

Основной причиной автолегирования является твердофазная диффузия примесей из подложки. [3]

Профили распределения примесей по толщине кремниевой пленки, осажденной на сапфира. [4]

Отметим, что автолегирование пленок алюминия в процессе последующего отжига происходит лишь при температурах выше 1250 С. [5]

При анализе причин автолегирования силановым методом обычно считают газовую среду химически нейтральной. Однако в работах [ 6, 71, посвященных исследованию реакций взаимодействия водорода со свободными гидридообразующими элементами ( в газообразном и твердом состоянии), было показано, что вполне возможно прямое образование гидридов. По способности прямого гпдрпдообразования при высоких температурах интересующие нас элементы располагаются в следующем порядке: Р, Si, As, В, Sb. [6]

Это несколько облегчает проблему автолегирования. С результаты плохо воспроизводимы и оптимальная к находится в области 950 - 1025 С. Выше 1050 С конденсированные пленки отслаиваются от подложки. [7]

Типичный вид профиля распределения примеси, перешедшей из подложки. [8]

В данной работе исследовался процесс автолегирования при выращивании АЭС кремния из нелегированной газовой фазы в присутствии источника, сильно легированного бором. [9]

Для более полного понимания механизма автолегирования эпитаксиальных слоев кремния представляет интерес изучение переноса примеси в процессе высокотемпературной предэпитаксиальной обработки низкоомных кремниевых пластин, а также роли пьедестала в перераспределении примеси при эпитаксиальном наращивании. [10]

Исходя из нашего представления о механизме автолегирования при эпитаксиальном наращивании кремния на пластинах с локальными диффузионными ( скрытыми) слоями мышьяка, основной перенос примеси из скрытого слоя на участки высокоомного кремния р-типа проводимости происходит на этапе предэпитаксиальной обработки. Этот процесс приводит к образованию тонкого слоя - типа проводимости. Перенос мышьяка в процессе эпитаксиального наращивания незначителен, источником его является зараженный в процессе предэпитаксиального отжига пьедестал. [11]

Для выяснения роли пьедестала как возможного источника автолегирования в процессе эпитаксиального наращивания был поставлен следующий эксперимент. [12]

Этот факт указывает на то, что процесс автолегирования не прекращается во время эпитаксиального наращивания, хотя лицевая поверхность источника запечатывается слоем кремния уже в первую минуту эпитаксиального нара-щявания. Подтверждением этого служит равномерный характер распределения мышьяка по толщине эпитаксиального слоя ( ряс. [13]

Анализ уравнения (6.16) и входящих в него членов показывает, что автолегирование существенно зависит от коэффициента диффузии легирующей примеси: чем он меньше, тем меньше уровень автолегирования, возрастающий для элементарных полупроводников в ряду сурьма - мышьяк - фосфор. [14]

Наряду с проблемой структурного совершенства эпитаксиальных пленок важная задача состоит в устранении автолегирования, т.е. неконтролируемого легирования путем диффузии из подложки или из сильнолегированных областей в растущую пленку. [15]

Страницы: 1 2 3 4