Автолегирование - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Параноики тоже люди, и у них свои проблемы. Легко критиковать, но если бы все вокруг тебя ненавидели, ты бы тоже стал параноиком. Законы Мерфи (еще...)

Автолегирование

Cтраница 4


46 Эффект сдвига рисунка при эпитаксиальном наращивании.| Скорость газофазного наращивания ( мкм / мин. [46]

Подобная ситуация наблюдается и при термическом разложении силана с использованием метода восстановления галогенидов. Следует отметить, что в последнее время эпитаксиальное наращивание проводится при низком давлении газа около 13 - 104 Па независимо от температуры. Как показано в табл. 4.2, при низком давлении газа скорость эпитаксиального наращивания уменьшается. Автолегирование и эффект смещения рисунка снижаются тоже. По этой причине метод эпитаксии при низком давлении газа используется очень широко.  [47]

Такая постановка эксперимента позволила проследить за изменением концентрации бора, попадающего в растущий слои из газовой фазы, исключив явление автодиффузии. На рис. 1 приведены кривые распределения бора по толщине эпитаксиальных слоев, выращенных при различных температурах. С понижением температуры осаждения уровень автолегирования резко уменьшается. Кривые распределения, относящиеся к слоям, полученным при температурах ниже 1200 С, имеют в области металлургической границы подложка - слой характерный горб. Мы предположили, что появление горба связано с накоплением бора на поверхности подложки во время этапа отжига ( 1220 С, 10 мпн), поскольку отжиг в водороде проводился при более высокой температуре, чем осаждение.  [48]

Одним из основных показателей качества гетероэпитак-сиальных слоев кремния на сапфире является значение подвижности носителей, зависящее от степени совершенства структуры слоя, механических напряжений и уровня содержания примесей. Обычно подвижность в эпислоях составляет TOSS и 45 - 55 % от подвижности в кристаллах для образцов с р - и n - типами электропроводности соответственно. При получении слоев р-типа верхний предел подвижности определяется главным образом скоростью роста слоя и уменьшается с ее увеличением. Высокую подвижность в слоях и-типа получить трудно, что связано с компенсацией слоя алюминием в процессе автолегирования из подложки.  [49]

Получение эпитаксиальных слоев кремния на низкоомных подложках сопровождается неконтролируемым переносом примеси из подложки в растущий эпитаксиальный слой ( процесс автолегирования) [1], что приводит к ухудшению электрофизических характеристик структур. Установлено [2], что одной из причин автолегирования вблизи границы раздела пленка - подложка является твердофазная диффузия примеси из подложки. Относительно механизма автолегирования эпитаксиального слоя по всей его толщине общепринятого мнения нет. Джойс и другие исследователи [5], используя метод радиоактивных изотопов, показали, что в процессе эпитаксиального наращивания происходит перенос примесей с тыльной стороны подложки к растущему слою через газовую фазу, так как маскирование тыльной стороны окисным слоем заметно снижает уровень автолегирования. Аналогичной точки зрения на механизм автолегирования придерживаются авторы работ [6, 7], изучавшие распределение сурьмы и бора в эпитаксиальных слоях.  [50]

Значительный интерес представляет выращивание эпитаксиальных пленок путем переноса материала на подложку с расположенной параллельно ей пластины полупроводника, легированной заданным образом и служащей источником наносимого полупроводникового слоя. Таким путем можно выращивать пленки п - и р-типа, слабо - и сильнолегированные, а также с меняющейся концентрацией. Выращивание может производиться и в вакууме. При использовании сэндвич-метода снижается вероятность автолегирования. Пока что с помощью этого метода создать пленки, пригодные для производства мощных транзисторов, также не удалось.  [51]

Получение эпитаксиальных слоев кремния на низкоомных подложках сопровождается неконтролируемым переносом примеси из подложки в растущий эпитаксиальный слой ( процесс автолегирования) [1], что приводит к ухудшению электрофизических характеристик структур. Установлено [2], что одной из причин автолегирования вблизи границы раздела пленка - подложка является твердофазная диффузия примеси из подложки. Относительно механизма автолегирования эпитаксиального слоя по всей его толщине общепринятого мнения нет. Джойс и другие исследователи [5], используя метод радиоактивных изотопов, показали, что в процессе эпитаксиального наращивания происходит перенос примесей с тыльной стороны подложки к растущему слою через газовую фазу, так как маскирование тыльной стороны окисным слоем заметно снижает уровень автолегирования. Аналогичной точки зрения на механизм автолегирования придерживаются авторы работ [6, 7], изучавшие распределение сурьмы и бора в эпитаксиальных слоях.  [52]

Авторы осаждали пленки по методу восстановления три-хлорсилана ( ta 1150 - 1250 С, vn 4 л / мин, рзшс. Пленки дополнительно легировали фосфором. Оказалось, что перенос примесей через газовую фазу от наружной поверхности подложки ( третий механизм) не играет существенной роли в автолегировании. Это вытекает из следующего эксперимента.  [53]

Исследованы причины автолегярования при выращивании ЭС. Рост осуществлялся яа высокоомные подложки, размещенные на прокладках с содержанием бора 2 10 ат / см из смесей SiH4 с водородом или гелием с контролируемым содержанием влаги и кислорода. Установлено, что накопление бора на лицевой поверхности подложки происходит на стадии высокотемпературного отжига. Концентрация бора зависит от температуры отжига и остается одной и той же в атмосфере водорода и гелия. Вероятной причиной автолегирования является перенос бора через газовую фазу в виде окислов.  [54]

Подложки легированы до удельного сопротивления порядка 0 001 - 0 01 ом-см. В качестве легирующей примеси для подложек могут быть взяты фосфор, мышьяк или сурьма. С определенной точки зрения предпочтение следует отдать мышьяку и сурьме, так как они в меньшей степени чем фосфор будут диффундировать из подложки в пленку. В результате проводимость пленки будет выше расчетной и это скажется на параметрах транзисторной структуры, в частности, это может привести к уменьшению пробивного напряжения. Однако изменение проводимости растущей пленки может происходить в процессе роста не только за счет диффузии из подложки, но и вследствие так называемого процесса автолегирования, когда - легирующие примеси попадают - в виде хлоридов в газовую фазу благодаря реакции хлористого водорода или тетрахлорида с материалом подложки и из газовой фазы осаждаются вместе с кремнием на пленку, таким образом легируя ее.  [55]



Страницы:      1    2    3    4