Автолегирование

Cтраница 2

При получении эпитаксиальных слоев кремния наряду с целенаправленным легированием следует учитывать влияние процесса автолегирования примесями, содержащимися в подложке. Наиболее существенным при высоких температурах является механизм диффузии в твердой фазе. [16]

Перенос примеси As76 через газовую фазу. [17]

Гроув и др. [151] также подтвердили, что обычная твердофазная диффузия обеспечивает наблюдаемый экспериментально уровень автолегирования, в частности при использовании подложек с примесями бора и сурьмы. [18]

Распределение бора по толщине эпитаксиалышх слоев, выращенных при различных температурах. [19]

С целью выяснения природы соединений, с которыми взаимодействует бор и которые ответственны за процесс автолегирования, были проведены опыты по отжигу структур высокоомная подложка - низкоомная прокладка в атмосфере водорода и гелия в идентичных условиях. Продолжительность отжига составляла 2 мин, температура изменялась от 1020 до 1200 С. На рис. 2 представлен график зависимости концентрации бора на поверхности высокоомной подложки от температуры отжига. При данной температуре поток бора, попадающий в газовую фазу из низ-коомного источника, одинаков в атмосфере водорода и гелия. В [4] показано, что в атмосфере водорода возможно прямое взаимодействие элементарного бора с водородом с образованием газообразных гидридов бора. [20]

Профили распределения. [21]

Процесс проникновения примесей из подложки в растущий слой был впервые изучен в работах [95, 146, 147] и получил название автолегирования. Особенно сильно это явление сказывается на свойствах тонких ( h; 10 мк) пленок, осажденных на сильно легированных подложках. [22]

Получение эпитаксиальных слоев кремния на низкоомных подложках сопровождается неконтролируемым переносом примеси из подложки в растущий эпитаксиальный слой ( процесс автолегирования) [1], что приводит к ухудшению электрофизических характеристик структур. Установлено [2], что одной из причин автолегирования вблизи границы раздела пленка - подложка является твердофазная диффузия примеси из подложки. Относительно механизма автолегирования эпитаксиального слоя по всей его толщине общепринятого мнения нет. Джойс и другие исследователи [5], используя метод радиоактивных изотопов, показали, что в процессе эпитаксиального наращивания происходит перенос примесей с тыльной стороны подложки к растущему слою через газовую фазу, так как маскирование тыльной стороны окисным слоем заметно снижает уровень автолегирования. Аналогичной точки зрения на механизм автолегирования придерживаются авторы работ [6, 7], изучавшие распределение сурьмы и бора в эпитаксиальных слоях. [23]

В настоящей главе излагаются кинетика и механизм роста кремния при химическом взаимодействии и конденсации в вакууме с охватом вопросов легирования и автолегирования, структуры и дефектов пленок. [24]

Автолегирование при малых количествах цинка ведет к образованию пленок с неоднородным или плавно изменяющимся распределением примеси; при повышении концентрации цинка эффект автолегирования подавляется. [25]

Анализ уравнения (6.16) и входящих в него членов показывает, что автолегирование существенно зависит от коэффициента диффузии легирующей примеси: чем он меньше, тем меньше уровень автолегирования, возрастающий для элементарных полупроводников в ряду сурьма - мышьяк - фосфор. [26]

Профиль распределения примеси в плен. [27]

Так, Томас, Кан и др. [95, 148], Наталл [16], Гроссман [149], Абе и др. [152] при интерпретации экспериментальных данных рассматривают различные виды травления подложки и переноса примесей в растущий слой как один из важных механизмов автолегирования. С другой стороны, Джойс и др. [150], Гроув и др. [151] считают, что преобладающим механизмом попадания примесей из подложки является твердофазная диффузия через границу раздела. [28]

Описанным методом получены опит / аксиальные слои и-тина проводимости с удельным сопротивлением от 0 1 до 10 Ом-см на подложках, легированных сурьмой, с удельным сопротивлением 0 01 Ом - см. Измерения по методу растекания точечного зонда показали [12], что слои имеют однородное по глубине распределение легирующей примеси, автолегирования слоя пз низкоомной подложки по происходит. Так, ширина области с переменной концентрацией примеси между подложкой и эпитак-еналышм слоем толщиной 5 мкм составляет - 0 5 мкм. [29]

Распределение электронов в слоях, выращенных на сильнолегированных подложках без газового травления ( 7 и с полирующим газовым травлением ( 2 ( подложки АГЭТ418. [30]

Страницы: 1 2 3 4