Структурное несовершенство

Cтраница 2

Кристаллические решетки зерна могут иметь различные структурные несовершенства: точечные, линейные и поверхностные, которые возникают в результате образования вакансий - мест не занятых атомами; дислоцированных атомов, вышедших из узла решетки; дислокаций, возникающих при появлении в кристалле незаконченных атомных плоскостей; примесных атомов, внедренных в кристаллическую решетку. [16]

Вторая задача анализа коинтеграции была связана с выявлением структурного несовершенства рынков. [17]

Точечные дефекты могут присутствовать в кристаллах не только как структурные несовершенства, но и как электрически активные центры в условиях, когда они приобретают положительные или отрицательные заряды. Поэтому они играют роль акцепторов или доноров, однократно или многократно ионизированных. [18]

Другой процесс сегрегации не связан с притяжением атомов углерода к структурным несовершенствам. При повышении температуры отпуска до 100 С эти кластеры укрупняются. [19]

Зависимость положения максимума выделения энергии Д. при отжиге меди, предварительно деформированной кручением от температуры. [20]

Движению дислокаций препятствуют границы зерен, частицы второй фазы, концентрационные неоднородности, структурные несовершенства ( в частности, другие дислокации), флуктуации в решетке, связанные с неравномерным распределением энергии или примесей. [21]

Реальные кристаллические тела ( и тем более поликристаллические) всегда содержат те или иные структурные несовершенства, оказывающие огромное влияние на все структурно чувствительные свойства этих тел. Особое значение имеет влияние этих несовершенств на пластичность и прочность кристаллических материалов. [22]

В противовес точке зрения Курова и др. [64, 93, 143, 185] в этой работе сделан вывод, что структурные несовершенства - вакансии, дислокации, границы зерен ( при имеющейся их концентрации) - не являются основным источником дырок. Байлендер и др. пришли к выводу, что концентрацию акцепторов в конденсатах германия можно заметно снизить специальными мерами по очистке вакуумной системы. [23]

Метод заключался в последовательном измерении в отдельных точках исследуемых образцов значений пропускания и двупреломления, характеризующих структурные несовершенства этих образцов. Подобные исследования, проведенные в последнее время на кристаллах / i - GaAs [233, 234], rt - GaP [49, 102, 116], n - Si [69, 234], я - Ge [36], позволили качественно оценить степень примесной неоднородности и связать последнюю с условиями роста кристаллов. [24]

При действии ультразвука в процессе химического созревания эмульсии оно ускоряется и, кроме того, возникают дополнительные структурные несовершенства в микрокристаллах, приводящие к повышению светочувствительности эмульсии. [25]

Значительное влияние на подвижность носителей оказывают сравнительно небольшие потенциальные барьеры в пленке, появление которых вызвано ее структурными несовершенствами. В эпитаксиальных пленках InP, получаемых на подложках из фосфида индия, легированного железом, концентрация электронов превышает 1016 см-3. Наличие в пленках р - InP, получаемых вакуумным испарением [80], температурной зависимости подвижности носителей ( показанной на рис. 3.12) свидетельствует об их рассеянии границами зерен. Ом - см. Электрические свойства пленок InP, легированных серой, находятся в сильной зависимости от условий процесса осаждения и концентрации примеси. Оценочные расчеты показали, что в пленках р-типа диффузионная длина электронов составляет около 0 2 мкм. [26]

Прохождение горячих электронов сквозь тонкую металлическую. [27]

Из (10.18) видно, что а определяется главным образом длиной поглощения электронов в металле, которая, весьма чувствительна к структурным несовершенствам пленки. [28]

Зависимость длины поглощения электронов в пленках золота от энергии электрона. [29]

Из выражения (10.43) видно, что коэффициент передачи а определяется главным образом длиной поглощения электронов в металле, которая весьма чувствительна к структурным несовершенствам пленки. В качестве примера на рис. 10.9 показана экспериментальная кривая зависимости а от энергии электронов для пленок золота. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5