Структурное несовершенство
Cтраница 5
 |
Оптическое поглощение Т в пленках GaAs ( ft 18 мкм, осажденных на. [61] |
На рис. 199 приведены результаты измерений Панка и Дэви ( 1966 г.) на пленках GaAs вблизи края основного поглощения. Избыточное поглощение непосредственно за краем полосы ( в сторону более длинных волн, меньших энергий) обусловлено мелкими примесями, а также структурным несовершенством, проявляющимся в виде возмущений зонной структуры, приводящих к появлению хвоста состояний в запрещенной зоне. Дискретные пороги поглощения при энергиях, меньших & g, обычно непосредственно связываются с дискретными уровнями в запрещенной зоне, обусловленными определенными примесями или несовершенствами. [62]
Лишь в редких случаях происходит непосредственный переход электрона из зоны проводимости в валентную зону ( см. 340), связанный с одновременным выделением значительной энергии. Более типична рекомбинация через так называемые ловушки. При этом электрон сначала переходит из зоны проводимости на промежуточный уровень, находящийся внутри запрещенной зоны ( наличие таких уровней, называемых ловушками, связано со структурным несовершенством кристалла, присутствием примесей), а спустя некоторое время происходит заключительный этап рекомбинации - переход электрона из ловушки в дырку. Ввиду того что у поверхности кристалла наблюдаются особенно сильные нарушения структуры ( см. П59), здесь концентрация ловушек особенно высока и зачастую поверхностная рекомбинация превалирует над рекомбинацией в объеме. [63]
Зонная теория), связанный с одновременным выделением значительной энергии. Более типична рекомбинация через так называемые ловушки. При этом электрон сна - чала переходит из зоны проводимости на промежуточный уровень, находящийся внутри запрещенной зоны ( наличие таких уровней, называемых ловушками, связано со структурным несовершенством кристалла), а спустя некоторое время происходит заключительный этап рекомбинации - переход электрона из ловушки в дырку. Ввиду того что у поверхности кристалла наблюдаются особенно сильные нарушения структуры ( см. Поверхностные явления), здесь концентрация ловушек особенно высока и зачастую поверхностная рекомбинация превалирует над рекомбинацией в объеме. [64]
Страницы: 1 2 3 4 5