Структурное несовершенство

Cтраница 4

Структура поверхности пленок кремния толщиной 25 - 800 мк, выросших при закрытом иодидном процессе на плоскостях ( 111 и ( ЮО подложки ( X 200. а ( Н1. б ( 100. [46]

В них имеются также дефекты упаковки и поликристаллические участки размерами около 100 - 200 мк. Граница раздела между пленкой и подложкой обычно травится очень быстро, что свидетельствует о ее структурном несовершенстве. [47]

Связь прочности стеклопластика при растяжении ( /, сжатии ( 2 и сдвиге ( 3 с критерием монолитности. [48]

Следует отметить, что в общем случае коэффициент М зависит не только от монолитности материала, так как отклонения от правила аддитивности свойств композита обусловливаются различными факторами. Эти факторы подразделяются на три группы [68]: дефекты волокон ( дисперсия прочности и модуля упругости); структурные несовершенства материала ( искривление и крутка волокон, их отклонения от параллельности и прямолинейности, начальные напряжения в компонентах); пористость композита. [49]

Коэффициенты самодиффузии ионов в некоторых ферритах. [50]

По данным [33], магнитные свойства ферритовых пленок, приготовленных испарением в вакууме или катодным распылением, значительно хуже, чем у соответствующих объемных ферритов. Например, коэрцитивная сила Яс пленки феррита меди, полученной в работе [33], составила 144 э, что связано со структурными несовершенствами и малым размером зерна в пленке. [51]

Известно, что пластическая деформация кристаллических тел является следствием движения дислокаций в определенных плоскостях. Кривая упрочнения в какой-то мере отражает интегральный характер зарождения и движения дислокаций, их взаимодействие с решеткой, между собой и другими структурными несовершенствами кристаллов. Одной из важных характеристик кривой упрочнения кристаллов является напряжение начала пластической деформации. Фактически оно соответствует стартовому напряжению дислокаций ( TS), зарождение и смещение которых представляет собой элементарный акт пластической деформации. [52]

Неоднородность на-фужения кристаллов и контактов обусловит разнонаправленность кристаллов в сростке, неоднородность кристаллической фазы по упругим характеристикам в силу различия минералогии, другие структурные несовершенства. [53]

Тем не менее по общему мнению изготовителей приборов дислокации оказывают вредное влияние на их работу и поэтому практически все виды приборов изготавливаются на основе бездислокационных монокристаллов кремния. Однако использование бездислокационных монокристаллов кремния само по себе не гарантируют высокого качества и выхода годных приборов, так как в процессе их производства вводятся примеси и разнообразные структурные несовершенства, влияние которых часто оказывается также весьма значительным. [54]

Более типична рекомбинация через так называемые ловушки. При этом электрон сначала переходит из зоны проводимости на промежуточный уровень, находящийся внутри запрещенной зоны ( наличие таких уровней, называемых ловушками, связано со структурным несовершенством кристалла), а спустя некоторое время происходит заключительный этап рекомбинации - переход электрона из ловушки в дырку. Ввиду того, что у поверхности кристалла наблюдаются особенно сильные нарушения структуры ( см. Поверхностные явления), здесь концентрация ловушек особенно высока и зачастую поверхностная рекомбинация превалирует над рекомбинацией в объеме. [55]

Изучение строения металлов с помощью рентгеност-руктурного анализа и электронного микроскопа позволило установить, что внутреннее кристаллическое строение зерна не является правильным. В кристаллических решетках реальных металлов существуют различные дефекты ( несовершенства), которые нарушают связи между атомами и оказывают влияние на свойства металлов. Различают следующие структурные несовершенства: точечные, линейные и поверхностные, которые характеризуются малыми размерами в трех, двух и одном измерении соответственно. [56]

Дефекты кристаллической решетки - энергетически более выгодные места для атомов углерода, чем нормальные позиции этих атомов в решетке мартенсита. Атомы углерода упруго притягиваются к дислокациям и дислокационным стенкам. Сегрегации углерода образуются на структурных несовершенствах при комнатной температуре сразу после закалки и даже в период закалочного охлаждения от температуры Мп до комнатной. Следовательно, в период закалочного охлаждения в мартенситном интервале, особенно сталей с высокой точкой Мн ( малоуглеродистых), развивается самоотпуск. Для насыщения атмосфер на дислокациях в мартенсите требуется примерно 0 2 % С. [57]

Содержание дислокаций в органических кристаллах, выращенных различными способами. [58]

Как показали Томас и Уильяме [394], число образующихся протяженных дефектов зависит от способа выращивания и от скорости роста кристалла. Это иллюстрируют данные табл. 2.8, в которой приводится измеренное количество дислокаций в нескольких видах молекулярных кристаллов, выращенных различными способами. Кроме того, в реальных кристаллах наблюдаются структурные несовершенства, возникающие или вследствие присутствия остаточных примесей, или в результате пластических деформаций, появившихся во время или после роста кристалла. Остаточные примеси, например чужеродные молекулы, искажают регулярную решетку кристалла в своей окрестности, создавая уровни захвата носителей на смещенных молекулах кристалла-хозяина, аналогично тому, как это имеет место в случае Х - центров для экситонов ( см. разд. [59]

В элементарных полупроводниках основную роль играют точечные дефекты типа примесных атомов. Они, как правило, определяют структурно-чувствительные электрофизические и физико-химические свойства полупроводящего вещества. В частности, дефекты Шоттки могут быть не только структурным несовершенством в кристаллах полупроводникового соединения, но и функционировать как электрически активные центры, выполняя функцию доноров или акцепторов. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5