Cтраница 3
Даже когда в световоде распространяется лишь одно излучение накачки, модуляционная неустойчивость может привести к спонтанному распаду стационарной гармонической волны на периодическую последовательность импульсов. Спонтанно испущенные или тепловые фотоны действуют в этой ситуации в качестве сигнального излучения, усиливающегося за счет модуляционной неустойчивости. [31]
Даже когда в световоде распространяется лишь одно излучение накачки, модуляционная неустойчивость может привести к спонтанному распаду стационарной гармонической волны на периодическую последовательность импульсов. Спонтанно испущенные или тепловые фотоны действуют в этой ситуации в качестве сигнального излучения, усиливающегося за счет модуляционной неустойчивости. Поскольку наибольшее значение коэффициента усиления наблюдается для частот к0 Пмакс ( где Пмакс определяется выражением (5.1.10)), эти частотные компоненты усиливаются больше всего. [32]
Когда длительность импульсов излучения накачки менее 100 пс, возможно возникновение модуляционной неустойчивости при действии других механизмов, при этом отпадает необходимость в спонтанной эмиссии или в сигнальном излучении. Одним из таких механизмов является ФСМ. Если уширение спектра за счет ФСМ приближается к Пмакс, то спектральные компоненты в окрестности Пмакс начинают действовать в качестве сигнального излучения, усиливаясь за счет модуляционной неустойчивости. Можно оценить длину светово - Да, на которой ширина спектра приближается к ПМакс. [34]
Когда длительность импульсов излучения накачки менее 100 пс, возможно возникновение модуляционной неустойчивости при действии других механизмов, при этом отпадает необходимость в спонтанной эмиссии или в сигнальном излучении. Одним из таких механизмов является ФСМ. Если уширение спектра за счет ФСМ приближается к П акс, то спектральные компоненты в окрестности Пма11С начинают действовать в качестве сигнального излучения, усиливаясь за счет модуляционной неустойчивости. [36]
Результаты работ [116, 64 - 67] и проведенное рассмотрение справедливы лишь для начальной стадии модуляционной неустойчивости. Амплитуда гармонических возмущений экспоненциально нарастает с расстоянием, затем наступает режим насыщения. В этот момент из непрерывного излучения формируется последовательность отчетливо разделенных импульсов. На рис. 2.15 изображены временные профили и интенсивности на развитой стадии неустойчивости, соответствующие различным частотам затравочной модуляции. Видно, что непрерывное излучение трансформировалось в импульсную последовательность. По мере дальнейшего распространения контраст излучения снижается. [37]
Вследствие излучения процесс очевидно непериодичен, и это отличает его от процесса одномерной модуляционной неустойчивости. Возврата к первоначальной плоской волне, который имеет место в одномерном случае, не происходит. [39]
Другое явление, могущее привести к качественно новым свойствам спектра накачки - это модуляционная неустойчивость, вызванная ФКМ. Она обсуждалась в разд. Однако это явление должно иметь место и в случае, когда второй импульс генерируется внутри световода. Подобно случаю модуляционной неустойчивости, возникающей в области отрицательной дисперсии ( см. разд. [41]
Другое явление, могущее привести к качественно новым свойствам спектра накачки, это модуляционная неустойчивость, вызванная ФКМ. Она обсуждалась в разд. Однако это явление должно иметь место и в случае, когда второй импульс генерируется внутри световода. Подобно случаю модуляционной неустойчивости, возникающей в области отрицательной дисперсии ( см. разд. [42]
С практической точки зрения было бы интересно знать поведение компонентов спектра в процессе модуляционной неустойчивости. Причем нас интересует не спектр обратного преобразования рассеяния, а реальный физический спектр. Выражения для спектра решения (3.44) легко выписать в явном виде. [43]
Данное решение показывает, что К2 становится отрицательным, когда Сфкм А / 2 - Это - необходимое условие для модуляционной неустойчивости. [44]
Данное решение показывает, что К2 становится отрицательным, когда Сфкм / i / 2 - Это - необходимое условие для модуляционной неустойчивости. [45]