Носитель - заряд
Cтраница 1
Носители заряда, определяющие собой вид проводимости в примесном полупроводнике, называются основными ( электроны в п-полу-проводнике или дырки в р-полупроводнике), а носители заряда противоположного знака - не основными. Примеси, вызывающие преобладание электронной проводимости, называются донорными, а дырочной - акцепторными. Донор-ной примесью для германия является, например, мышьяк, а акцепторной - индий. [1]
 |
Различные виды вольт-амперных характеристик полупроводников в сильных электрических полях. 1 -линейная ( омическая. г - сублинейная. 3 - суперлинейная. 4 - N-образная. 5 - S-образная. [2] |
Носители заряда разогреваются не только пост, током, но также при поглощении ими эл. Возникающее при этом изменение электропроводности полупроводника представляет собой один из механизмов фотопроводимости и используется для создания чувствительных приемников излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов. [3]
Носители заряда в канале ТПБ движутся не вдоль поверхности полупроводниковой пленки, а перпендикулярно ей. [4]
Носитель заряда - частица, содержащая один или несколько элементарных электрических зарядов. Носителем заряда является, например, электрон, протон; термин относится условно также к дырке в полупроводнике. [5]
Носители заряда - электроны проводимости и дырки, которые могут перемещаться, создавая электропроводность. [6]
Носитель заряда - частица, содержащая один или несколько электрических зарядов. Носителями заряда являются, например, электрон, протон, ион; термин относится условно также к дырке в полупроводнике. [7]
Носители заряда в проводнике способны перемещаться под действием сколь угодно малой силы. [8]
Носители заряда в проводящих молекулярных кристаллах обычно перемещаются либо по ( / - орбитапям металлического каркаса из атомов Pt в солях тетрацианоплатината, либо по полуметаллическому каркасу цепочек Se - Se в солях ( TMTSF) 2J f, либо по делокализованным тг-орбиталям в TTF - TCNQ. Однако в некоторых окисленных ( катионных) металлопор-фиринах дырочные носители движутся от металла к лиганду, между атомами металла и между атомами лиганда. В конкретном случае рассматриваемых комплексов смешанную валентность может проявлять или лиганд, или центральный атом металла. Фактически как лиганд, так и атом центрального металла могут быть частично окисленными. [9]
 |
Обращенный диод. [10] |
Носители заряда, образовавшиеся в слое умножения, затем дрейфуют в поле р-п-перехода, причем электроны движутся через n - область, а дырки - через р-область. [11]
Носитель заряда, либо генерированный внутри области рильного электрического поля, либо диффундировавший в эту область, приводит к образованию лавины. По мере роста тока падение напряжения на большом внутреннем последовательном сопротивлении увеличивается до тех пор, пока падение напряжения в области сильного поля станет ниже пороговой величины, при которой разряд прекращается. Часть носителей, освобожденных разрядом, будет, вероятно, захвачена в непосредственной близости от области микроплазмы. Из тех носителей, которые повторно освобождаются из ловушек после окончания разряда, некоторые опять запустят в действие этот же механизм. Таким образом, возникает ряд коротких всплесков лавинного тока, и процесс окончится только тогда, когда случайно не окажется повторно освобождаемых носителей для запуска следующего разряда. Такая ситуация будет оставаться без изменений до тех пор, пока весь этот процесс не будет инициирован снова с помощью свободного носителя, диффундирующего в область сильного электрического поля или генерированного внутри этой области. [12]
Носители заряда должны образовываться из нейтральных молекул. Для этого существует несколько химических путей. [13]
 |
Импульсы тока ( а и напряжения ( б на образце. [14] |
Носители заряда вводят в образец полупроводника через точечный контакт при помощи импульса тока. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5