Носитель - заряд
Cтраница 3
Носители зарядов остаются в основном в приповерхностном слое диэлектрика. Напряженность поля в полимере при этом низка - ниже пробивной прочности. Величина зарядов ограничена пробивной прочностью окружающей среды. Скорость заряжения может быть достаточно большой, при этом получаются заряды, плотность которых равномерна по поверхности. [31]
 |
Временные зависимости. [32] |
Носители заряда, находящиеся вначале вблизи поверхности, постепенно смещаются в глубь электрета. При увеличении начального значения т0 перемещение ускоряется. [33]
Носитель заряда, попадая в полимер, поляризует близлежащие диполи - полярные группы, и они ориентируются в направлении носителя. На поворот каждого диполя требуется очень неболь-щая энергия. Однако суммарная энергия на ориентацию всех диполей будет достаточно большой. [34]
 |
Схема включения ионизационной камеры в режиме счета частиц. [35] |
Носители заряда, образованные излучением, под действием поля перемещаются к электродам. Плотность положительного заряда до момента осаждения электронов на анод возрастает, и на емкости нагрузки камеры появляется отрицательный заряд, а на затворе транзистора - отрицательное напряжение, значение которого определяется соотношением: Uq ( t) C, где q ( t) - индуцированный заряд; С - емкость нагрузки. [36]
Носители заряда, определяющие вид проводимости в примесном полупроводнике, называются основными ( электроны в л-полупровод-нике или дырки в уэ-полупроводнике), а носители заряда противоположного знака - не основными. Примеси, вызывающие преобладание электронной проводимости, называются донорными, а дырочной - акцепторными. Донор-ной примесью для германия является, например, мышьяк, а акцепторной - индий. [37]
Носители заряда, определяющие вид проводимости в примесном полупроводнике, называются основными ( электроны в - полупроводнике или дырки в р-полупроводнике), а носители заряда противоположного знака - неосновными. [38]
 |
Возможные механизмы возбуждения фотоносителей в полупроводнике.| Изменение концентрации носителей заряда в полупроводнике при освещении его прямоугольным импульсом света. [39] |
Носители заряда, возбужденные фотонами в зону проводимости, могут иметь большую энергию, чем равновесные носители. В этом случае фотоносители располагаются на более высоких энергетических уровнях зоны проводимости, чем равновесные. В течение очень малого промежутка времени ( 10 - - 10 - 12 с) за счет взаимодействия с решеткой фотоносители передают ей свою избыточную энергию и переходят на свободные нижние уровни зоны проводимости. [40]
Носители заряда, как всякие частицы в условиях термодинамического равновесия, должны подчиняться статистическим закономерностям. Их отличие, например, от обычных газовых частиц заключается в том, что они подчиняются квантовым законам. [41]
Носители заряда в этом случае не находятся в тепловом равновесии с решеткой. Такие носители заряда называются горячими. [42]
 |
Структура МДП-транзистора с плавающим затвором и лавинным размножением электронов.| Структура МДП-транзистора с плавающим затвором и канальной ин-жекцией. [43] |
Носители заряда в канале ( электроны) будут ускоряться сильным полем у стокового электрода. Приобретенная энергия может быть достаточной для эмиссии горячих электронов в слой SiO2, в котором полем управляющего электрода создаются условия для дрейфа электронов к плавающему затвору. Под влиянием отрицательного заряда на плавающем затворе увеличивается пороговое напряжение МДП-транзистора. [44]
Носители заряда, однотипные с примесным полупроводником, называют основными, а неоднотипные - неосновными. В полупроводнике и-типа основными носителями являются электроны, а неосновными - дырки, а в р-полупроводнике, наоборот, дырки являются основными носителями, а электроны - неосновными. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5