Cтраница 4
Носители заряда в ПП постоянно находятся в состоянии хаотич. В однородном ПП наиболее вероятно равномерное распределение носителей но объему; при отклонении от этого наиболее вероятным оказывается перемещение носителей, восстанавливающее равномерность распределения. [46]
Носители заряда в полупроводниках и диэлектриках возникают за счет возбуждения связанных электронов. Отсюда следует, что их концентрация может резко изменяться под действием температуры, света, ядерных излучений, а также за счет введения примесных атомов, способствующих уменьшению энергии возбуждения. Так, при температурах, близких к абсолютному нулю, концентрация носителей в этих веществах практически равна нулю, а при высоких температурах становится близкой к концентрации носителей в металлах. Процессы возбуждения ( генерации) и исчезновения ( рекомбинации) носителей заряда происходят не моментально, а с некоторой конечной скоростью, величина которой определяет целый ряд основных свойств полупроводников и является одной из важнейших характеристик материала. [47]
![]() |
Включение в электрическую цепь полупроводника. [48] |
Носители зарядов, преобладающие в данном полупроводнике, называют основными; носители зарядов, концентрация которых в данном полупроводнике меньше концентрации основных носителей, на-зынают неосновными. Для полупроводника я-типа основные носители заряда - электроны, а неосновные - дырки; для полупроводника р-типа основные носители - дырки, неосновные - электроны. [49]
Носители заряда обладают самыми различными энергиями. [50]
Носители заряда, представленные в большинстве, называются основными, а представленные в меньшинстве - неосновными. [51]
Носители заряда переходят с поверхности полупроводнн-ника, где их потенциальная энергия больше, в металл, где она меньше, пока не будет уравновешена контактная разность потенциалов. [52]
Носители заряда, концентрация которых преобладает в данном полупроводнике, получили название основных, носители заряда противоположного знака - неосновных. Так, в полупроводнике и-типа основными носителями заряда являются электроны, неосновными - дырки; в полупроводнике р-типа - соответственно дырки и электроны. [53]
![]() |
Схема распределения потенциала между электродами. [54] |
Носителями заряда в межэлектродном промежутке служат электроны и ионы, движущиеся вдоль электрического поля. [55]
Носителями зарядов являются также положительно или отрицательно заряженные ионы. [56]
![]() |
Минимальная плотность объемного заряда в зависимости от радиуса пространственного заряда R, вызывающего коронный разряд на сферах или проводах различного диаметра. [57] |
Носителями зарядов в заряженных ( наэлектризованных) жидкостях обычно являются ионы. [58]
Носителями зарядов в металлах являются свободные электроны, носителями зарядов в жидкостях являются ионы. [59]
Носителями заряда в электролите являются положительно и отрицательно заряженные ионы. Механизм электропроводности электролитов во многом сходен с описанным выше механизмом электропроводности газов. Основные отличия связаны с тем, что в газах сопротивление движению носителей заряда обусловлено главным образом их столкновениями с нейтральными атомами. В электролитах подвижность ионов обусловлена внутренним трением - вязкостью - при их движении в растворителе. [60]