Cтраница 1
Свободные носители заряда, диффундируя в объеме полупроводника, за время своей жизни т перемещаются в среднем на расстояние L, которое называют диффузионной длиной носителей. [1]
Свободные носители заряда ( электроны в зоне проводимости, дырки в валентной зоне, а также электроны проводимости в металле) не связаны с отдельными атомами кристаллической решетки и способны до столкновений проходить путь, значительно превышающий межатомные расстояния. [2]
Свободные носители заряда в полупроводнике, для образования ( генерации) которых требуется затрата энергии, могут возникать вследствие различных причин - термической ионизации, ионизации светом и других внешних воздействий. При тепловом возбуждении, как указывалось в § 8.2, имеет место термодинамическое равновесие между свободными носителями заряда и кристаллической решеткой. [3]
Свободные носители заряда могут переходить в разрешенной зоне из одного энергетического состояния в другое под действием практически сколь угодно малого возмущения, так как спектр состояний в разрешенных зонах квазинепрерывный. Поэтому свободные носители в зонах могут поглощать фотоны с непрерывно изменяющейся энергией и структурных особенностей в спектре поглощения свободными носителями не наблюдается, если нет особенностей в распределении носителей в разрешенной зоне. [4]
Свободные носители заряда, концентрация которых соответствует состоянию термодинамического равновесия, называются равновесными. [5]
Свободные носители заряда могут появиться также и в полупроводниках, но этот процесс отличается от процесса появления свободных электронов в металле, что объясняется различиями кристаллической решетки металла и полупроводника. [6]
Почему свободные носители зарядов не могут удержаться в области р - - перехода. [7]
Почему свободные носители зарядов не могут удержаться в области р - п-переходов. [8]
Почему свободные носители зарядов не могут удержаться в области р - п-перехода. [9]
Почему свободные носители зарядов не могут удержаться в области р - тг-перехода. [10]
Почему свободные носители зарядов не могут удержаться в области р - п-перехода. [11]
Если свободные носители заряда, инициировавшие разряд и не воссоздающиеся начавшимся процессом, образуются только за счет внешнего фактора, а электрич. В этом случае имеет место самостоятельный разряд. Он возникает при достижении напряженности электрич. [12]
Образование свободных носителей заряда не должно быть связано с примесными состояниями. [13]
Число свободных носителей зарядов - электронов или дырок - в полупроводнике увеличивается также при воздействии света. [14]
Роль свободных носителей зарядов здесь выполняют блуждающие незаполненные электронные связи, называемые дырками. Такая примесная электропроводность называется дырочной. Недостача электрона связи равноценна наличию лишнего положительного заряда, по величине равного отрицательному заряду электрона. [15]