Свободный носитель - заряд
Cтраница 3
Поглощение свободными носителями заряда может быть обусловлено как внутризонными переходами, так и переходами между отдельными подзонами. Поглощению этого типа соответствует относительно медленное возрастание коэффициента поглощения за краем основной полосы. Для материалов л-типа электропроводности коэффициент поглощения пропорционален концентрации электронов и зависитот длины волны. [31]
Поглощение свободными носителями заряда связано с ускорением их под воздействием электрического поля электромагнитной волны. Свободными носителями заряда являются электроны зоны проводимости и дырки валентной зоны. На ускорение электронов затрачивается часть энергии волны, которая затем в результате столкновения электронов с решеткой превращается в тепловую энергию решетки. [32]
Где образуются свободные носители заряда при введении бора в качестве примеси в германий. [33]
Где образуются свободные носители заряда при введении сурьмы в качестве примеси в германий. [34]
Где образуются свободные носители заряда при введении бора в качестве примеси в кремний. [35]
Направленное перемещение свободных носителей заряда в полупроводнике, обусловленное электрическим полем, называют дрейфовым движением. [36]
Время жизни свободных носителей заряда сильно зависит от природы и концентрации ловушек в кристалле. Даже тщательнейшим образом приготовленные кристаллы могут содержать до 1015 см 3 ловушек, т.е. примерно одну миллионную долю. Таким образом, если за время пробега носителя последний встречает Ш6 отдельных кристаллических узлов, то он с большой вероятностью попадает на ловушку. Если предположить, что эти случайные перескоки происходят главным образом в плоскости аб, то, как указывалось в разд. Другими словами, для посещения 106 новых узлов необходимо примерно 2 - Ю7 перескоков. Если носитель в антрацене совершает порядка 1013 перескоков в секунду, то он будет захвачен в течение примерно 10 - 6 с. В действительности время жизни носителя до захвата больше, поскольку не каждая встреча с ловушкой кончается захватом. [38]
Большая концентрация свободных носителей заряда в металлах приводит к сильному отражению зондирующего пучка. Доля мощности пучка, поглощаемой металлом, мала. Вследствие этого очень мала вероятность неупругого рассеяния при взаимодействии света с металлической поверхностью. Для металлов с высокой отражающей способностью измерения спектров КР требуют очень длительных экспозиций. По этой причине спектроскопия металлов методом КР проводится значительно реже по сравнению с другими материалами. [39]
При образовании свободных носителей заряда в полупроводнике за счет внешних воздействий, например света, энергия свободных носителей в момент их образования может сильно отличаться от средней тепловой энергии решетки. Это означает отсутствие термодинамического равновесия между решеткой и образовавшимися свободными носителями. Такие носители заряда называют неравновесными. Однако следует иметь в виду, что термодинамическое равновесие устанавливается за очень короткий промежуток времени порядка 10 - 10 с и неравновесные носители заряда в дальнейшем не отличаются от равновесных. [40]
Возникновение пары свободных носителей заряда называется генерацией пары, обратный процесс, приводящий к исчезновению пары свободных носителей заряда - электрона и дырки - называется рекомбинацией. Генерация и рекомбинация могут происходить в результате внешних и внутренних причин. [41]
Неравновесное состояние свободных носителей заряда может быть описано некоторой функцией распределения Дг, к, /), вид которой был найден нами в четвертой главе для случая, когда отклонение от равновесного состояния вызывается полями Е и В, градиентами химического потенциала F ( энергии Ферми) и температуры. [42]
Возникновение пары свободных носителей заряда называют генерацией пары, обратный процесс, приводящий к исчезновению пары свободных носителей заряда - электрона и дырки, - называют рекомбинацией. Генерация и рекомбинация могут происходить в результате внешних и внутренних причин. Обозначим через g / и gE скорости изменения концентрации вследствие генерации в результате внутренних ( gi) и внешних ( gE) причин, а через rt и г Е - скорости изменения концентрации вследствие рекомбинации в результате действия внутренних ( г) и внешних ( ГЕ) причин. [43]
Неравновесное состояние свободных носителей заряда может быть описано некоторой функцией распределения f ( r K t), вид которой был найден в четвертой главе для случая, когда отклонение от равновесного состояния вызывается полями Е и В, градиентами химического потенциала F ( энергии Ферми) и температуры. Неравновесная часть функции распределения / и описывает перераспределение частиц по состояниям в зоне Бриллюэна при сохранении числа частиц. При втором типе неравновесных состояний, когда концентрация частиц меняется, характер изменения функции распределения должен быть другим. Предположим, что для описания неравновесных состояний можно воспользоваться функцией Ферми - Дирака с другими значениями входящих в нее параметров. [44]
 |
Спектр поглощения свободными носителями заряда в теллуриде кадмия. [45] |
Страницы: 1 2 3 4