Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Когда к тебе обращаются с просьбой "Скажи мне, только честно...", с ужасом понимаешь, что сейчас, скорее всего, тебе придется много врать. Законы Мерфи (еще...)

Свободный носитель - заряд

Cтраница 2

Деление свободных носителей зарядов на основные и неосновные в теории полупроводниковых приборов имеет принципиальное значение.  [16]

Количество свободных носителей заряда в проводнике и механическое сопротивление их движению за счет теплового движения нейтральных частиц характеризует величину активного электрического сопротивления R проводника как элемента цепи.  [17]

Зависимость удельного сопротивления меди от температуры. Скачок соответствует температуре плавления меди ( 1083 С.  [18]

Число свободных носителей заряда ( концентрация электронов) с увеличением температуры в металлическом проводнике остается неизменным. Поэтому удельное сопротивление металлов с повышением температуры возрастает.  [19]

Расчетная -. зависимость гкоэф-фнциента отражения от частоты в окрестности плазменного минимума ( а. Пунктиром показана кривая с учетом слабого поглощения света ( теория и экспериментальный спектр отражения образцов InSb n - типа с различной концентрацией носителей заряда ( б.  [20]

Вклад свободных носителей заряда приведет к тому, что сначала R ( o) убывает с ростом частоты, а затем начинает возрастать.  [21]

Вклад свободных носителей заряда приведет к тому, что сначала R ( со) убывает с ростом частоты, а затем начинает возрастать. Таким образом, вблизи частоты со сор наблюдается минимум отражения, который получил название плазменного минимума.  [22]

Расчетная -. зависимость гкоэф-фнциента отражения от частоты в окрестности плазменного минимума ( а. Пунктиром показана кривая с учетом слабого поглощения света ( теория и экспериментальный спектр отражения образцов InSb n - типа с различной концентрацией носителей заряда ( б.  [23]

Вклад свободных носителей заряда приведет к тому, что сначала R ( o) убывает с ростом частоты, а затем начинает возрастать.  [24]

Кроме парных свободных носителей заряда, появляющихся в результате нарушения валентных связей, в полупроводнике могут быть также и носители заряда, существование которых связано с наличием атомов некоторых примесей.  [25]

Спектр решеточного поглощения в арсениде галлия.| Спектр поглощения свободными носителями заряда в арсениде галлия р-типа.| Спектр поглощения свободными носителями заряда в фосфиде галлия я-типа.| Спектр примесного поглощения антимонида индия.  [26]

Поглощение свободными носителями заряда связано с электронными переходами внутри разрешенных зон или между их подзонами.  [27]

Поглощение свободными носителями заряда обусловлено их движением под действием электрических полей световой волны. На ускорение свободных носителей заряда волна отдает часть своей энергии, что приводит к ослаблению волны.  [28]

Поглощение свободными носителями заряда обусловлено их движением под действием электрических полей световой волны. На ускорение свободных носителей заряда волна отдает часть своей энергии, что приводит к ослаблению волны.  [29]

Спектры поглощения сое - [ IMAGE ] - 18. Спектр поглощения фос.  [30]

Страницы:      1    2    3    4