Свободный носитель - ток
Cтраница 1
Свободные носители тока в полупроводнике могут существовать не только благодаря термическому возбуждению кристалла, но и в результате внешних воздействий. Для этого энергия фотона должна быть не меньше ширины запрещенной зоны. Каждый поглощенный фотон рождает дополнительно пару электрон-дырка. В результате при освещении концентрация свободных носителей становится выше равновесной. Поэтому возбуждаемые светом носители тока называют неравновесными. Обусловленное светом увеличение электропроводности кристалла называют фотопроводимостью. [1]
Свободные носители тока в газах проходят от одного соударения с нейтральными молекулами до другого расстояние А, , получившее название длины свободного пробега. [2]
Свободные носители тока могут также образовываться при поглощении кванта света; возможна и самопроизвольная рекомбинация. [3]
 |
Зависимость удельного электросопротивления меди от температуры. Скачок соответствует температуре плавления меди ( 1083 С. [4] |
Число свободных носителей тока ( концентрация электронов) с увеличением температуры в металлическом проводнике остается неизменным. [5]
Концентрация свободных носителей тока в полупроводниках очень низка по сравнению с концентрацией в металлах, а также в растворах электролитов, даже весьма разбавленных. Благодаря этому внешнее электрическое поле проникает далеко в глубь полупроводника и у его поверхности образуется область пространственного заряда. Так, на германиевом электроде скачок потенциала со стороны раствора обусловлен в основном адсорбцией кислорода и включает две компоненты - дипольную и ионную. [6]
Характер образования свободных носителей тока в полупроводниках сильно меняется при введении в полупроводник примесей других веществ. При этом, как уже указывалось, в запрещенной зоне появляются примесные уровни. Если они располагаются вблизи свободной зоны, то образующие их лримеси называются донорами, а сами уровни - донорными. [7]
Процесс образования свободных носителей тока требует затраты энергии на преодоление энергетических зазоров между разрешенными зонами или между локальными примесными уровнями и этими зонами. [8]
Концентрация дефектов и свободных носителей тока ( особенно при высокой температуре, при которой происходит синтез люминофора) сравнима с содержанием примеси активатора в люминофоре. [9]
С ростом концентрации свободных носителей тока в полупроводниках заметную роль начинает играть плазменное ЭО, а в металлах оно является одним из основных эффектов в области А, доступной измерениям в растворах. Поскольку плазменное ЭО ( и вообще ЭО, обусловленное модуляцией оптических констант металла) почти всегда вносит вклад в ЭО металлических электродов, его следует рассмотреть детально. [10]
Наконец, поглощение свободными носителями тока обусловлено возбуждением электронов ( или дырок) при их переходе от дна зоны проводимости ( или потолка валентной зоны) на более высокие ( или более низкие) состояния в той же зоне. Величина поглощения пропорциональна концентрации носителей и поэтому может быть использована для определения последней. В то же время поглощение свободными носителями дает информацию, касающуюся таких свойств, как зонная структура, эффективная масса носителей тока и особенно процессы рассеяния. [11]
Под действием сил инерции свободные носители тока - электроны смещаются к краю диска при его вращении, так что в центре диска окажется равный по величине, но противоположный по знаку положительный заряд. [12]
Согласно обеим схемам, свободные носители тока ( электрон или дырка), необходимые для создания прочной адсорбционной связи, регенерируются на конечной стадии механизма и таким образом могут вызвать большое число реакций, если процесс термодинамически возможен в выбранных экспериментальных условиях. Облучение твердого тела, которое увеличивает число свободных носителей тока, проявляется, таким образом, в усилении каталитической способности твердого тела. [13]
Для изоляторов явления рекомбинации свободных носителей тока не отличаются в принципе от рассмотренных выше. Однако ловушки здесь могут играть важную роль; поэтому время рекомбинации часто становится весьма длительным. Таким образом, для данного типа твердых тел является очень существенным влияние радиации на число носителей тока, которое очень мало перед облучением. [14]
У - кинетическая энергия свободного носителя тока; остальные символы имеют обычный смысл. [15]
Страницы: 1 2 3 4