Свободный носитель - ток
Cтраница 2
Более удовлетворительный метод создания свободных носителей тока состоит в возбуждении их светом. Свет от лампы накаливания фокусируется на образце сквозь отверстие в резонаторе. Так как свет создает электронно-дырочные пары, то наблюдается как дырочный, так и электронный резонанс независимо-от типа проводимости используемого образца. [16]
Для изоляторов явления рекомбинации свободных носителей тока не отличаются в принципе от рассмотренных выше. Однако ловушки здесь могут играть важную роль; поэтому время рекомбинации часто становится весьма длительным. Таким образом, для данного типа твердых тел является очень существенным влияние радиации на число носителей тока, которое очень мало перед облучением. [17]
Согласно представлениям электронной теории, свободные носители тока в полупроводниковых окисных катализаторах, на которых протекает окисление углеводородов, являются основными участниками каталитического акта. [18]
В процессе детектирования излучений возникают свободные носители тока. Для ослабления влияния на чувствительность приемника шумов усилительных каскадов, следующих за фотодетектором, целесообразно осуществить усиление электронных потоков, возникших в результате взаимодействия света с веществом. [19]
Аналогичным образом был рассмотрен вклад свободных носителей тока в адиабатические упругие постоянные. [20]
 |
К объяснению эффекта Холла. [21] |
Представление о дырках как о свободных носителях тока с положительными зарядами было введено для того, чтобы наглядно описать вклад в электропроводность валентной зоны, почти целиком заполненной электронами. [22]
В металлах с их высокой концентрацией свободных носителей тока теплопроводность осуществляется главным образом свободными электронами и, следовательно, в выражении для у. Противоположная картина наблюдается в диэлектриках. Можно считать, что при комнатных температурах у них свободных электронов фактически нет. Поэтому значение хэ весьма мало и х хк. [23]
Известно [714, 1120, 1121], что повышенная концентрация свободных носителей тока в кристалле может влиять вследствие электрон-фононного взаимодействия на упругие постоянные. Этот эффект может быть использован для измерения констант деформационного потенциала, а также т в системе ( 100) минимумов n - Ge. С этой целью в [1122] исследована температурная зависимость упругих постоянных я - Ge, сильно легированного Sb и относительно чистого Ge ( пе & 10й см 3) в интервале 300 Г 550 К. Оказалось, что величина е44 в чистом Ge при 300 К приблизительно на 2 % меньше, чем в легированном. [24]
При слабом возбуждении, когда концентрации свободных носителей тока малы по сравнению с концентрациями связанных ( в основных состояниях), полные числа электронов и дырок в основных состояниях не должны меняться при возбуждении. Именно это перераспределение ответственно за активацию или повышение чувствительности фотосопротивления при добавлении локальных уровней, инфракрасное гашение и суперлинейность. [25]
Данные получены из измерений поглощения света свободными носителями тока. [26]
Примем в первом приближении, что пара свободных носителей тока образуется при рассеянии в твердом теле энергии 10 эв. Оно включает два параметра. [27]
Как будет показано ниже, изменения концентрации свободных носителей тока, вероятно, обусловливают новые каталитические свойства. Однако следует принимать во внимание и другие состояния электронного возбуждения, как, например, экситоны. Нужно отметить, что при облучении распределение электронов между всеми характеристическими уровнями энергии твердого тела не соответствует тепловому распределению, отвечающему статистике Ферми - Дирака. Кроме того, электронные нарушения, временные по своей природе, могут иногда обладать квазипостоянным характером по отношению к процессу захвата ловушками. [28]
Таким образом, электропроводность служит мерой числа свободных носителей тока в катализаторах. [29]
Собственная электропроводность относительно невелика вследствие незначительного количества свободных носителей тока - электронов и дырок. [30]
Страницы: 1 2 3 4