Свободный носитель - ток
Cтраница 3
Примем в первом приближении, что пара свободных носителей тока образуется при рассеянии в твердом теле энергии 10 эв. Оно включает два параметра. [31]
Как будет показано ниже, изменения концентрации свободных носителей тока, вероятно, обусловливают новые каталитические свойства. Однако следует принимать во внимание и другие состояния электронного возбуждения, как, например, экситоны. Нужно отметить, что при облучении распределение электронов между всеми характеристическими уровнями энергии твердого тела не соответствует тепловому распределению, отвечающему статистике Ферми - Дирака. Кроме того, электронные нарушения, временные по своей природе, могут иногда обладать квазипостоянным характером по отношению к процессу захвата ловушками. [32]
В этом разделе рассматриваются соотношения между плотностью свободных носителей тока и энергетическими характеристиками полупроводника. [33]
Таким образом, проводимость электролитов обусловлена наличием свободных носителей тока - положительных и отрицательных ионов. В электрическом поле, создаваемом в электролите внешним источником тока, положительные ионы направленно дрейфуют по направлению силовых линий поля, а отрицательные - против. Направленное движение ионов образует ток в электролите. Электролиты обладают ионной проводимостью. [34]
В этом разделе рассматриваются соотношения между плотностью свободных носителей тока и энергетическими характеристиками полупроводника. [35]
В германии р-типа зависимость коэффициента поглощения света свободными носителями тока от Я 2 нарушена. [36]
В полупроводниковых соединениях А В р-типа поглощение свободными носителями тока в большинстве случаев не зависит от длины волны из-за переходов между зонами Kt и V2 в валентной зоне. [37]
В кристалле, находящемся в состоянии теплового равновесия, свободные носители тока ( электроны и дырки) возникают в результате термического возбуждения электронов из валентной зоны в зону проводимости. [38]
Эта разность потенциалов будет вытягивать из перехода практически все свободные носители тока. Поэтому ловушки могут захватывать электроны лишь из валентной зоны. Образовавшиеся дырки сразу же подхватываются полем и выводятся из перехода. [39]
Непосредственным результатом поглощения света в полупроводнике является увеличение числа свободных носителей тока. В переходах первого типа электроны из заполненной золы при поглощении фотона переводятся в зону проводимости. В результате этих переходов образуются свободные электроны и свободные дырки. [40]
Как известно, существуют полупроводники п-типа, в которых основными свободными носителями тока слу - жат электроны проводимости, и полупроводники р-тнна, основные свободные носители в которых - дырки. Возникает новый вид предельного тока, величина которого определяется скоростью доставки неосновных носителей тока из глубины электрода к поверхности или скоростью возникновения их вблизи поверхности. [41]
 |
Возгорание люминесценции, потушенной кислородом, при переходе от кратковременного освещения к длительному. [42] |
Более вероятным представляется нам захват адсорбированными атомами или молекулами кислорода свободных носителей тока ( в частности, электронов, так как кислород является акцептором электронов) при упрочнении связи хе-мосорбированной частицы с решеткой. [43]
 |
Основные параметры СЭС с параболоцилнндрнческнми концентраторами ( ПЦК. [44] |
В основе работы ФЭП лежит явление внутреннего фотоэффекта - образование свободных носителей тока под действием теплового ионизирующего излучения. Поглощение света и фотоионизация увеличивают энергию электронов и дырок, не разделяя их в пространстве. [45]
Страницы: 1 2 3 4