Неосновной носитель

Cтраница 1

Неосновные носители, возникающие в точках, удаленных от области объемного заряда, на величину, превышающую L, рекомбинируют раньше, чем они попадут в поле области объемного заряда. Величина то ка насыщения определяется в основном удельным сопротивлением исходного материала. С увеличением удельного сопротивления материала ток насыщения возрастает. Это объясняется тем, что с увеличением удельного сопротивления уменьшается концентрация основных носителей и увеличивается концентрация неосновных носителей, обусловливающих появление тока насыщения. У германия, например, при увеличении температуры на 10 С ток насыщения возрастает в два раза. Если к р - п переходу подключить напряжение такой полярности, что положительный полюс источника напряжения окажется приложенным к / 7-области, а отрицательный - к м-обла-сти ( рис. 30, б), внешнее поле источника будет направлено навстречу полю запорного слоя; концентрация дырок в приграничном слое р-области и электронов в приграничном слое / г-области увеличится, что в свою очередь вызовет уменьшение потенциального барьера и сужение запорного слоя. [1]

Неосновные носители ( дырки в полупроводнике л-типа и электроны в р-полупроводнике) диффундируют в область п-р-перехода, втягиваются в него и образуют пространственный заряд по другую сторону перехода. Таким образом, происходит накопление носителей тока разных знаков в двух противоположных частях полупроводника. Однако этот процесс не может продолжаться сколь угодно долго, так как в результате накопления зарядов возникает электрическое поле, препятствующее дальнейшим переходам. Таким образом, наступает динамическое равновесие между переходами электронов ( дырок) в одну и другую сторону. В результате образуется постоянная разность потенциалов ( фото-э. [2]

Неосновные носители ( электроны), инъектируемые базой в область эмиттера, практически не влияют на величину тока коллектора. Это объясняется тем, что в действительности концентрация атомов трехвалентной примеси в эмиттере значительно больше, чем концентрация пятивалентных примесей в базе. [3]

Вольтамперные характеристики р-п перехода с областями пробоя, соответствующими разным механизмам пробоя. [4]

Неосновные носители, попадающие в поле области объемного заряда, приобретают энергию, достаточную для разрыва валентной связи. При столкновении с решеткой кристалла они выбивают из связи валентный электрон. [5]

Неосновные носители ( дырки в n - области и электроны в р-области) втягиваются электрическим полем в р-п переход, проходят через него в соседнюю область - происходит экстракция носителей заряда, сопровождается протеканием обратного тока / ОБР через р-п переход. [6]

Неосновные носители вводятся уже при наличии холловского поля в образце. [7]

Неосновные носители, генерируемые в р-и / z - областях на большем расстоянии от границы перехода, вследствие рекомбинации не попадают в обедненную область, где сосредоточено электрическое поле перехода. [8]

Неосновные носители инжектируются в основном из низкоомного слоя, называемого эмиттером, в высокоомный слой - базу. [9]

Ход потенциальной энергии электронов ( сплошные. [10]

Неосновных носителей очень мало, но они легко проникают через границу областей, скатываясь с потенциального барьера. Величина / Неосн определяется числом рождающихся ежесекундно неосновных носителей и от высоты потенциального барьера почти не зависит. [11]

Неосновными носителями являются дырки в валентной зоне. [12]

Неосновными носителями в таком кристалле являются электроны, которые образуются за счет собственных атомов кристалла. В кристалле п-типа основными носителями заряда являются электроны, которые образуются благодаря наличию до-норной примеси. Неосновными носителями здесь являются дырки, которые образуются за счет собственных атомов кристалла. [13]

Неосновными носителями являются дырки в валентной зоне. [14]

Здесь неосновными носителями являются электроны. [15]

Страницы: 1 2 3 4