Неосновной носитель

Cтраница 2

Переходные характеристики точечно-контактного триода при подаче на него прямоугольного импульса тока. [16]

Эти неосновные носители затрачивают определенное время на движение от эмиттера к коллектору, и этим объясняется время задержки ( t3 ] выходного импульса относительно входного импульса. Все неосновные носители имеют разные длины путей движений от эмиттера к коллектору из-за геометрии кристаллического триода и столкновений неосновных носителей, при движении через германиевый кристалл. [17]

Инжекция неосновных носителей в р - п-переходе, включенном в прямом направлении, может привести к высокой эффективности преобразования электронов и дырок в фотоны в полупроводнике даже в отсутствие лазерного эффекта. Процесс спонтанной эмиссии может происходить в полупроводниках как с прямыми, так и с непрямыми переходами посредством одного из механизмов излучательной рекомбинации, описанных в гл. Хотя внутренняя квантовая эффективность может быть близка к единице, внешняя эффективность в общем значительно меньше, поскольку из-за высокого показателя преломления ббльшая часть света испытывает на поверхности полное внутреннее отражение, после чего он поглощается. [18]

Ток неосновных носителей называют током насыщения. [19]

Для неосновных носителей ( дырок в и-области и электронов в / - области) потенциальный барьер в электронно-дырочном переходе отсутствует. Неосновные носители втягиваются полем в переход и быстро преодолевают его. Это явление называется экстракцией. [20]

Плотность неосновных носителей весьма мала по сравнению с плотностью основных носителей. [21]

Заряд неосновных носителей перемещается в ПЗС2 под действием диффузии, дрейфа в поле под затвором и в поле зазора. [22]

Для неосновных носителей потенциальный барьер в р - га-переходе вообще отсутствует. Поэтому неосновные носители заряда будут втягиваться электрическим полем в р - - переход и проходить через него в соседнюю область, происходит так называемая экстракция. [23]

Концентрация неосновных носителей на коллекторном переходе равна нулю. [24]

Концентрация неосновных носителей в примесном полупроводнике уменьшается во столько раз, во сколько увеличивается концентрация основных носителей. Таким образом, если в германии i-типа п ( р, 1013 см 3, а после добавления донорной примеси концентрация электронов возросла в 1000 раз и стала п 1016 см 3, то концентрация неосновных носителей ( дырок) уменьшится в 1000 раз и станет р 1010 см 3, т.е. будет в миллион раз меньше концентрации основных носителей. Это объясняется тем, что при увеличении в 1000 раз концентрации электронов проводимости, полученных от донорных атомов, нижние энергетические уровни зоны проводимости оказываются занятыми и переход электронов из валентной зоны возможен только на более высокие уровни зоны проводимости. Но для такого перехода электроны должны иметь большую энергию, чем в собственном полупроводнике, и поэтому значительно меньшее число электронов может его осуществить. Соответственно значительно уменьшается число дырок проводимости в валентной зоне. [25]

Заряд неосновных носителей и его распределение в базе не могут измениться мгновенно. [26]

Количество неосновных носителей возрастает почти пропорционально числу вновь образуемых пар; количество основных носителей увеличивается в значительно меньшей степени. [27]

Вольтамперная характеристика полупроводникового диода средней мощности. масштабы тока и напряжения для прямого и обратного направления различны. [28]

Потоки неосновных носителей, примерно такие же, как и при отсутствии внешнего поля, создают слабый ток через переход. Приложенное напряжение и ток в этом случае называют обратными. [29]

Заряд неосновных носителей, накопленный в базе, связан с током базы соотношением QB / Бтр. [30]

Страницы: 1 2 3 4