Неосновной носитель

Cтраница 3

Ток неосновных носителей, вызванный освещением, не зависит от напряжения, приложенного к р - n - переходу, он пропорционален световому потоку и называется световым током или фототоком. При этом следует отметить, что одновременно с процессом генерации пар носителей заряда происходит и их рекомбинация. Кроме того, интенсивность света уменьшается по глубине облучаемого тела, поэтому генерация пар носителей происходит в основном на внешней облучаемой поверхности. [31]

Ток неосновных носителей, который в этом случае называют обратным ( / обр), почти не изм: нит своего значения, так как концентрация их в пол проводниках незначительна. [32]

Концентрация неосновных носителей меняется в процессе диффузии, поэтому и емкость, связанная с изменением заряда в - области у перехода, называется диффузионной. [33]

Распределение примесей в дрейфовом транзисторе, изготовленном методом двойной диффузии. [34]

Дрейф неосновных носителей в электрическом поле уменьшает их время пролета и тем самым улучшает частотные характеристики транзистора. [35]

Заряд неосновных носителей в базе, как и любой заряд, создает вокруг себя электрическое поле, под действием которого через вывод базы в базу поступают электроны. Вследствие того что свободные электроны обладают высокой подвижностью, они распределяются в базе так же, как дырки. В результате электрическое поле в базе практически отсутствует. Наличие в базе заряда Q6 неосновных носителей и заряда электронов приводит к тому, что из-за тепловой флуктуации дырок и электронов имеет место их рекомбинация. Этот процесс рекомбинации протекает со средней скоростью Q6 / T6, где тб - постоянная времени базы, равная среднему времени жизни неосновных носителей в базе. Для восполнения заряда Q6 из эмиттера инжектируются новые дырки, а соответствующие им электроны поступают через вывод базы. [36]

Ток неосновных носителей через переход остается практически неизменным, в то время как с понижением потенциального барьера большее число электронов может перейти в р-область и большее число дырок - в п-область. [37]

Генерация неосновных носителей может быть осуществлена не только с помощью внутренней ионизации ( например, светом), но и инъекцией их с выпрямляющего контакта, включенного в пропускном направлении. Такая инъекция приводит к появлению в образце, кроме неосновных носителей, равного им количества основных носителей, обеспечивающих нейтральность. Таким образом, в результате инъекции проводимость в образце повышается. [38]

Появление неосновных носителей за счет термооптических переходов ( рис. 234, в): свет переводит электроны с заполненных уровней в с-зону. В результате возникает нарушение равновесия между этими уровнями и г - зоной. [39]

Кривые релаксации примесной фото - ЭДС. [40]

Появление неосновных носителей ( электронов) и фото - ЭДС связано либо с переводом в с-зону электронов с частично заполненных уровней Ev - - 0 l5 эв, либо с двойными оптическими переходами1) из и-зоны на уровень Ev - - 0 15 эв и оттуда в с-зону. В заключение отметим, что примесная фото - ЭДС может наблюдаться и при генерации только основных носителей, но в нестационарном режиме. Действительно, как уже было отмечено выше, отсутствие фото - ЭДС при генерации основных носителей связано с тем, что фото - ЭДС в объеме точно компенсируется фото - ЭДС на контакте. [41]

Распределение токов, обусловленных инжек-цией дырок.| Обратное включение р-п перехода. [42]

Для неосновных носителей ( дырок в л-области и электронов в - области) потенциальный барьер в электронно-дырочном переходе отсутствует и они будут втягиваться полем в области р-п перехода. Это явление называется экстракцией. [43]

Диффузия неосновных носителей в базе идет от коллектора к запертым эмиттерам. [44]

Существование неосновных носителей имеет очень большое значение для создания полупроводниковых приборов, способных усиливать сигналы или выполнять некоторые другие функции. [45]

Страницы: 1 2 3 4