Инжектированный неосновной носитель
Cтраница 1
 |
Зависимость падения потенциала в области пространственного заряда от потенциала германиевого электрода и-типа в 48 % - ном растворе HF, измеренная методом инжекции через р-я-переход. [1] |
Инжектированные неосновные носители диффундируют от р - - перехода к границе полупроводник / электролит. [2]
Инжектированные неосновные носители диффундируют в узкой базе в сторону среднего р - n перехода, смещенного в обратном направлении приложенным к тиристору напряжением. [3]
Наличие инжектированных неосновных носителей зарядов в объеме полупроводника при протекании прямого тока обусловливает особенности процессов, происходящих в р-п-переходе при быстром изменении прямого напряжения на обратное. Инжектированные носители рекомбинируют не сразу и изменение знака напряженности поля вызывает протекание обратного тока этих носителей. Вследствие высокой проводимости р-п-пере-хода, насыщенного в это время носителями зарядов, начальное значение обратного тока оказывается значительно большим тока насыщения. Процесс снижения его до величины нормального обратного тока ( и, следовательно, восстановления сопротивления перехода) длится некоторое время, необходимое для рассасывания объемного инжектированного заряда вследствие рекомбинации и возврата носителей через переход. [4]
Диффузионная емкость, связанная с накоплением инжектированных неосновных носителей, много больше зарядной емкости перехода. [5]
Отсюда следует, что на границах перехода концентрации инжектированных неосновных носителей увеличиваются в зависимости от внешнего напряжения U по экспоненциальному закону. [6]
Высокие уровни инжекции характеризуются тем, что плотность инжектированных неосновных носителей в базе сравнима с плотностью основных носителей данной области. Если транзистор работает в нормальном активном режиме, то плотность электронов, инжектированных из эмиттера, от прз ( 0) на эмиттерной границе базы уменьшается до Прк ( О) коллекторной границы. [7]
Отсюда следует, что на границах перехода концентрации инжектированных неосновных носителей увеличиваются в зависимости от внешнего напряжения U по экспоненциальному закону. [8]
 |
Распределение носителей в кремниевом переходе при прямом. [9] |
В несимметричных переходах концентрации рр0 и пм сильно различаются, поэтому концентрация инжектированных неосновных носителей будет гораздо больше в высокоомном слое, чем в низко-омном. Таким образом, в несимметричных переходах инжекция имеет односторонний характер: неосновные носители инжектируются в основном из низкоомного слоя в высокоомный. [10]
В несимметричных переходах концентрации рт и пло сильно различаются, поэтому концентрация инжектированных неосновных носителей будет гораздо больше в высокоомном слое, чем в низкоомном. Таким образом, в несимметричных переходах инжекция имеет односторонний характер: неосновные носители инжектируются в основном из низкоомного слоя в высокоомный. [11]
Уравнение ( 18), строго говоря, учитывает только изменение проводимости за счет инжектированных неосновных носителей. Так как в силу условия нейтральности одновременно происходит и инжекция основных носителей тока, то правую часть выражения ( 18) надо умножить на ( l - f - Ь), где b - отношение подвижности дрейфа электронов к подвижности дрейфа дырок. Следует отметить, что это обстоятельство влияет лишь на абсолютную величину ( 18), но не на временную зависимость, которая только нас и интересует. [12]
 |
Распределение примесей в базе. [13] |
Наличие градиента концентрации приводит к появлению в базе диода электрического поля, тормозящего движение инжектированных неосновных носителей. [14]
 |
Два варианта конструкции импульсных диодов. [15] |
Страницы: 1 2 3 4