Инжектированный неосновной носитель
Cтраница 3
Инжекция неосновных носителей происходит при подаче прямого смещения на р - п-переход, гетеропереход или контакт металл - полупроводник вследствие уменьшения разности потенциалов на контакте. Инжектированные неосновные носители проникают в полупроводник на глубину, определяемую рекомбинацией; она по порядку величины совпадает с диффузионной длиной в слабых внеш. [31]
Как следует из этого выражения, уровень инжекции равен отношению приращения концентрации неосновных носителей, полученного в результате инжекции, к равновесной концентрации основных носителей заряда. Инжектированные неосновные носители создают у границ перехода объемные заряды, для компенсации которых из областей полупроводника к границам перехода притекают основные носители зарядов. В результате у границ перехода создаются избыточные концентрации не только неосновных, но и основных носителей зарядов: А. [32]
 |
Устройство светодиода. [33] |
Как было, показано выше ( параграф 3.3), прч подаче р-п переход прямого напряжения наблюдается интенсивная инжекция неосновных носителей заряда: электронов в - область и дырок в n - область. Инжектированные неосновные носители рекомбинируют с основными носителями данной области полупроводника и их концентрация быстро падает по мере удаления от р-п перехода в глубь полупроводника. При встрече электрона и дырки их заряды компенсируются и данные носители заряда исчезают. Поэтому при рекомби - нации выделяется энергия. Однако у полупроводников, выполненных на основе карбида кремния ( SiC), галлия ( Ga), мышьяка ( As) и некоторых других материалов, рекомбинация является излу-чательной - энергия рекомбинации выделяется в виде квантов излучения - фотонов. [34]
Как следует из этого выражения, уровень инжекции равен отношению приращения концентрации неосновных носителей, полученного в результате инжекции, к равновесной концентрации основных носителей заряда. Инжектированные неосновные носители создают у границ перехода объемные заряды, для компенсации которых из областей полупроводника к границам перехода притекают основные носители зарядов. В результате у границ перехода создаются избыточные концентрации не только неосновных, но и основных носителей зарядов: А. [35]
 |
Устройство светодиода. [36] |
При подаче на р-я-переход прямого напряжения возникает интенсивная инжекция через него неосновных носителей заряда: электронов в р-область и дырок в n - область. Инжектированные неосновные носители заряда рекомбинируют с основными носителями данной области полупроводника; их концентрация быстро падает по мере удаления от р-я-пере-хода в глубь полупроводника. При встрече электрона с дыркой происходит процесс рекомбинации зарядов и высвобождение энергии в виде излучения оптического диапазона волн. [37]
Третье преимущество рассматриваемой модели следует из несимметрии ее перехода. Если концентрация инжектированных неосновных носителей у границы электронно-дырочного перехода еще не равна полной концентрации основных носителей, что может быть только при очень больших прямых токах, то через несимметричный переход происходит инжекция только одного вида носителей - из сильиолегированной области в слаболегированную. В этом случае весь ток связан с движением носителей одного вида - дырок. Значит, можно рассматривать движение только одного вида носителей во всей базе диода. [38]
 |
Распределение концентрации неосновных и основных носителей заряда в базе диода при включении его в прямом направлении. [39] |
При инжекции неосновных носителей заряда в базе диода возникает избыточная концентрация этих носителей и нарушается электрическая нейтральность базы. Для компенсации инжектированных неосновных носителей заряда через омический переход в базу входят основные носители и также распределяются в базе неравномерно. [40]
 |
Зависимости пробив - Рп - Рпо - & Рп С яо. [41] |
При инжекции неосновных носителей заряда в базе диода возникает избыточная концентрация этих носителей и нарушается электрическая нейтральность базы. Для компенсации инжектированных неосновных носителей заряда через невыпрямляющий контакт в базу входят основные носители и также распределяются в базе неравномерно. [42]
При инжекции неосновных носителей заряда в базе диода возникает избыточная концентрация этих носителей и нарушается электрическая нейтральность базы. Для компенсации инжектированных неосновных носителей заряда через омический переход в базу входят основные носители и также распределяются в базе неравномерно. [43]
Некоторые из важнейших задач, связанных с быстродействием приборов с р-и-переходом, сопряжены с временем пролета неосновных носителей при диффузии или дрейфе, с накоплением неосновных носителей и с ограничениями, налагаемыми постоянной времени RC. Время пролета неосновных носителей определяется тем, насколько быстро инжектированные неосновные носители проходят базовую область. [44]
Эффект появления ( или увеличения) в базе дополнительного заряда инжектированных неосновных носителей носит название накопления в базе. [45]
Страницы: 1 2 3 4