Инжектированный неосновной носитель

Cтраница 2

При подаче на диод прямого напряжения ток устанавливается не сразу, так как с течением времени происходит накопление инжектированных неосновных носителей и снижение сопротивления материала. Однако этот процесс протекает быстро и не имеет практически столь большого значения, как переходные процессы при восстановлении обратного тока. [16]

Переходные процессы в импульсном диоде. [17]

При подаче на диод прямого напряжения ток устанавливается яе сразу, так как с течением времени происходит накопление инжектированных неосновных носителей и снижение сопротивления материала. Однако этот процесс протекает быстро и не имеет практически столь большого значения, как переходные процессы при восстановлении обратного тока. [18]

Электронная и дырочная составляющие концентрации носителей и плотности тока через р-п-переход при смещении диода в прямом направлении.| Электронная и дырочная, составляющие концентрации носителей и плотности тока через р-п-пере-ход при смещении диода в обратном направлении. [19]

Отметим, например, что часть полного электронного тока использована для учета рекомбинации, а остальная часть представляет ток инжектированных неосновных носителей на стороне / 7-типа. Аналогичная ситуация справедлива также и для дырочной составляющей тока. [20]

Приведенные выражения для си - и у справедливы в наиболее простейшем случае, когда примесь в базе распределена равномерно, а концентрация инжектированных неосновных носителей изменяется по линейному закону. [21]

На диффузионных диодах из GaAs избыточное шумовое излучение наблюдается только в области токов, где заметно проявляется диффузионная емкость, являющаяся мерой инерции инжектированных неосновных носителей. На диодах Шоттки из GaAs, у которых отсутствует инжекция неосновных носителей, избыточное шумовое излучение не наблюдается. [22]

Несмотря на то что при инжекции примыкающие к р-л-пере-ходу области не заряжаются, диффузионную емкость можно связать с зарядом инжектированных носителей, так как инжектированные неосновные носители и нейтрализующие их основные носители не исчезают. Для сравнения вспомним, что и обычный конденсатор в целом электрически нейтрален. [23]

Несмотря на то что при инжекции примыкающие к р-п-пере-ходу области не заряжаются, диффузионную емкость можно связать с зарядом инжектированных носителей, так как инжектированные неосновные носители и нейтрализующие их основные носители не исчезают. Для сравнения вспомним, что и обычный конденсатор в целом электрически нейтрален. [24]

Эффективность светодиода определяется прежде всего его внутренним квантовым выходом т ] вн, представляющим собой отношение числа квантов, испускаемых при рекомбинации, к чилу инжектированных неосновных носителей. Однако наряду с излучательной рекомбинацией всегда протекает процесс безызлучательной рекомбинации. [25]

Несмотря на то что при инжекции примыкающие к р-д-пере-ходу области не заряжаются, диффузионную емкость можно связать с зарядом инжектированных носителей, так как и инжектированные неосновные носители и нейтрализующие их основные носители не исчезают. Для сравнения вспомним, что и обычный конденсатор в целом электрически нейтрален. Но в обычном конденсаторе положительный и отрицательный заряды пространственно разделены ( то же самое можно сказать и об электронно-дырочном переходе при рассмотрении его барьерной емкости), в то время как при инжекции через р-л-переход и положительный, и отрицательный заряды оказываются в одной и той же области и пространственно не разделяются. В результате чего невозможно обнаружить область, где проходят токи смещения. [26]

Однако нужно иметь в виду, что измеренная этим методом дрейфовая подвижность неосновных носителей заряда совпадает с омической подвижностью (1.98), (1.99) только в том случае, если концентрация инжектированных неосновных носителей заряда Ар значительно меньше рав-концентрации носителей п0 и измерения проводятся на образце примесной проводимости. [27]

Распределение примесей в структуре, полученной с помощью тройной односторонней диффузии. [28]

Причина появления изломов на характеристиках особо высоковольтных транзисторов связана с тем, что в начальном участке выходной характеристики коллекторный переход сильно смещен в прямом направлении и сопротивление высокоомного тела коллектора может снижаться за счет модуляции проводимости инжектированных неосновных носителей. [29]

В рассматриваемой модели p - n - перехода предполагается, что изменение концентрации неосновных носителей в областях за границами перехода при небольшом прямом напряжении не нарушает электрическую нейтральность этих областей Это объясняется быстрой ( за время диэлектрической релаксации) нейтрализацией заряда инжектированных неосновных носителей основными носителями, поступающими из внешней цепи. Предположим, что толщины нейтральных областей много больше диффузионной длины неосновных носителей в этих областях. Физические процессы при прямом напряжении p - n - перехода поясняет рис. 2.7. На рис 2.7, а показаны направления движения основных носителей создающих прямой ток. Перемещение этих носителей через p - n - переход приводит к инжекции избыточных неосновных носителей - электронов в нейтральную р-область, а дырок в - область. [30]

Страницы: 1 2 3 4