Основной носитель - ток
Cтраница 2
 |
Схема режимов работы р-п-перехода. [16] |
В полупроводниках типа р основные носители тока - дырки, а неосновные - электроны. При анализе явлений в полупроводниках обычно рассматривают различные виды электронно-дырочного перехода. [17]
 |
Распределение потенциала в р - л-переходе. [18] |
Как указывалось ранее, основные носители тока уходят из области перехода, в результате чего возникает изолирующий обедненный слой между двумя областями с хорошей проводимостью. Следовательно, переход приблизительно можно рассматривать как конденсатор с плоскими обкладками. Необычность этого конденсатора состоит в том, что ширина изолирующего слоя ( расстояние между пластинами) является функцией приложенного поля. [19]
В примесных полупроводниках число основных носителей тока очень велико и всегда значительно превышает 1015 см-3. Радиация в заметной степени может оказывать влияние лишь на гораздо меньшее число второстепенных носителей тока; их стационарная концентрация достигает в некоторых случаях величины на несколько порядков больше предыдущей. Образующиеся таким образом второстепенные носители тока могут обусловливать качественные изменения каталитической активности. [20]
В любом проводнике кроме основных носителей тока всегда имеется некоторое, как правило небольшое, количество неосновных носителей, возникающих, например, в результате тепловой ионизации. Поэтому в - области наряду с электронами проводимости ( основными носителями) имеется небольшое количество дырок ( неосновных носителей), а в р-области кроме дырок - некоторое количество электронов. Контактное поле Ек способствует переходу неосновных носителей через р - - переход. В результате из - области течет ток неосновных носителей. Сила этого тока / слабо зависит от контактного поля. [21]
Электроны играют здесь роль основных носителей тока, неосновными носителями являются дырки. Несмотря на малость концентрации неосновных носителей тока по сравнению с концентрацией основных носителей, первые могут играть в известных условиях очень важную роль. [22]
В примесных полупроводниках число основных носителей тока очень велико и всегда значительно превышает 1015 см-3. Радиация в заметной степени может оказывать влияние лишь на гораздо меньшее число второстепенных носителей тока; их стационарная концентрация достигает в некоторых случаях величины на несколько порядков больше предыдущей. Образующиеся таким образом второстепенные носители тока могут обусловливать качественные изменения каталитической активности. [23]
Рекомбинация этих носителей с основными носителями тока ( электроны в гс-области и дырки в р-области) сопровождается излучением. [24]
Контактный слой полупроводника обеднен основными носителями тока - электронами в зоне проводимости, и его сопротивление значительно больше, чем в остальном объеме полупроводника. Такой контактный слой называется запирающим. [25]
То обстоятельство, что основным носителем тока в электрической дуге является мощный - поток электронов - частиц с отрицательным зарядом - и что для существования дуги необходима мощная эмиссид электронов из катода - Отрицательного электрода, - приводит к заключению, что при разнородных электродах характеристика дуги должна быть несимметричной. [26]
Контактный слой полупроводника обеднен основными носителями тока - электронами в зоне проводимости, и его сопротивление значительно больше, чем в остальном объеме полупроводника. Такой контактный слой называется запирающим. [27]
То обстоятельство, что основным носителем тока в электрической дуге является мощный поток электронов - частиц с отрицательным зарядом - и что для существования дуги необходима мощная эмиссия электронов из катода - отрицательного электрода, - приводит к заключению, что при разнородных электродах характеристика дуги должна быть несимметричной. [28]
То обстоятельство, что основным носителем тока в электрической дуге является мощный поток электронов - частиц с отрицательным зарядом - и что для существования дуги необходима мощная эмиссия электронов из катода - отрицательного электрода, - приводит к заключению, что при разнородных электродах характеристика дуги должна быть несимметричной. Наиболее резко несимметрия проявляется, если один из электродов поставлен в условия, при которых из него возникает мощная эмиссия электронов, а другой электрод находится в условиях, при которых сколько-нибудь заметная эмиссия электронов из него невозможна. Например, один электрод нагрет до высокой температуры, достаточной для мощной термоэлектронной эмиссии, а другой искусственно поддерживается холодным, или у одного электрода могут образовываться высокие напряженности поля, достаточные для мощной автоэлектронной эмиссии, а у поверхности другого электрода такие напряженности поля не могут возникать. При таких условиях устройство проводит ток только в одном направлении и может служить для выпрямления переменного тока. [29]
Контактный слой полупроводника обеднен основными носителями тока - электронами в зоне проводимости, и его сопротивление значительно больше, чем в остальном объеме полупроводника. Такой контактный слой называется запирающим. [30]
Страницы: 1 2 3 4