Cтраница 3
То обстоятельство, что основным носителем тока в электрической дуге является мощный поток электронов - частиц с отрицательным зарядом - и что для существования дуги необходима мощная эмиссия электронов из катода - отрицательного электрода, - приводит к заключению, что при разнородных электродах характеристика дуги должна быть несимметричной. [31]
![]() |
Структура электронно-дырочного перехода. [32] |
Таким образом, происходит диффузия основных носителей тока. Вследствие ухода электрона из n - области в р-область и рекомбинации второго электрона n - области с дыркой, пришедшей из р-области, нейтральность п области нарушается - она приобретает положительный заряд в две единицы. Аналогично заряжается р-область, приобретая отрицательный заряд. [33]
![]() |
Плоская кристаллическая решетка германия с введенной в него донор ной примесью - фосфором.| Схема движения элек тронов и дырок в полупроводнике с донорной примесью. [34] |
На рисунке видно, что основными носителями тока являются электроны, составляющие примесную электропроводность. Две дырки и соответствующие им два электрона получены в результате ионизации атомов германия. Эти носители тока обусловливают собственную электропроводность полупроводника. Общий ток в полупроводнике равен сумме электронного и дырочного токов, но электронный ток во много раз больше дырочного. [35]
Для кремния р-типа дырки являются основными носителями тока, их концентрация велика и ток насыщения отсутствует. [36]
![]() |
Схематическое изображение электропроводности у электронного ( а и дырочного ( б полупроводников. [37] |
У электронного полупроводника электроны называют основными носителями тока, а дырки - неосновными. [38]
Эффекты Холла и Нернста определяют подвижность основных носителей тока. Дрейфовый же метод дает подвижность неосновных носителей. Однако опытные данные показывают, что значения подвпжностей мало зависят от того, являются ли дырки и электроны в данном полупроводнике основными или неосновными. [39]
Знак коэффициента Холла совпадает со знаком основных носителей тока в полупроводниках. Размерность постоянной Холла R, как видно из (5.39), равна L3 / q, где q - электрический заряд. В системе MKSM это означает ма / кулон. Поскольку п чаще всего выражают в слГ8, то и для R обычно берут единицы сма / кулон. Естественно, что, используя формулу (5.38), необходимо позаботиться о том, чтобы все величины были выражены в одних и тех же единицах. [40]
Если знак поверхностного заряда противоположен знаку основных носителей тока в полупроводнике, то под его влиянием происходит притяжение к поверхности основных носителей тока и обогащение ими приповерхностного слоя. Такие слои называются обогащенными. [41]
Таким образом, п Лр п основными носителями тока являются электроны. Полупроводники с преимущественной электронной проводимостью называются обычно полупроводниками п-типа или просто / г-полупроводниками. [42]
Предположим сначала, что в полупроводник вводятся основные носители тока, например в электронный полупроводник вводятся добавочные электроны. Внутри полупроводника возникает поле, которое приводит в движение все электроны проводимости и по истечении некоторого времени из полупроводника в соприкасающиеся с ним проводники ( если он включен в электрическую цепь) вытесняются все добавочные электроны и нейтральность полупроводника восстанавливается. [43]
Если знак поверхностного заряда противоположен знаку заряда основных носителей тока в полупроводнике, то под его влиянием происходит притяжение к поверхности основных носителей и обогащение ими приповерхностного слоя. [44]
Таким образом, п - р и основными носителями тока являются электроны. [45]