Cтраница 4
Туннельный диод имеет высокоскоростные характеристики, обусловленные основными носителями тока. Однако нарушение стабильности работы таких приборов также велико. [46]
Здесь га и рр означают соответственно равновесные концентрации основных носителей тока: электронов в n - области и дырок в р-области; пр и рп - концентрации неосновных носителей ( электронов в р-области и дырок в га-области) опять-таки в условиях теплового равновесия. [47]
Здесь п и рр означают соответственно равновесные концентрации основных носителей тока: электронов в л-области и дырок в р-области; пр и рп - концентрации неосновных носителей ( электронов в р-области и дырок в д-области) опять-таки в условиях теплового равновесия. [48]
Таким образом, контактное поле препятствует дальнейшей диффузии основных носителей тока через р - n - переход ( так как в токе основных носителей ( / Осн) будут участвовать лишь те из них, энергия которых больше высоты потенциального барьера) и способствует переходу неосновных носителей в противоположном направлении ( электронов из р в n - область, и дырок из п в р), создающих дрейфовый ток / еоси - Равновесие устанавливается при такой контактной разности потенциалов Vk ( высоте потенциального барьера eVk), при которой токи основных и неосновных носителей уравниваются ( / ОСн / неосн) и результирующий ток через р - п-переход равен нулю. Энергетическая схема равновесного р - - перехода изображена на рис. 93, а, слева, причем пунктиром изображен уровень Ферми, который в данном случае во всех частях полупроводниковой системы устанавливается на одинаковой высоте. [49]
Прикатодная область, в которой электроны, являющиеся основными носителями тока, создаются эмиссией с катода и в результате ионизации газа. [50]
Таким образом, в полупроводниках с донорными примесями основными носителями тока являются электроны, такие полупроводники называются электронными или полупроводниками п-типа. [51]
В противоположность этому в германии р-типа дырки являются основными носителями тока, их число весьма велико, и анодная реакция не тормозится из-за их недостатка. [52]
Таким образом, фотопроводимость обусловливается образующимися вследствие этого избыточными основными носителями тока ( см. гл. [53]
Если направления внешнего и контактного полей противоположны, то основные носители тока втягиваются в контактный слой из объема полупроводника; толщина контактного слоя, обедненного основными носителями тока, и его сопротивление уменьшаются. В этом направлении, называемом пропускным, электрический ток может проходить через контакт металл - полупроводник. Если внешнее поле совпадает по знаку с контактным, то основные носители тока будут перемещаться от границы с металлом; толщина обедненного слоя возрастает, возрастает и его сопротивление. Очевидно, что в этом случае ток через контакт отсутствует, выпрямитель заперт - это запорное направление. Для запирающего слоя на границе металла с полупроводником n - типа ( АМА) пропускным является направление тока из металла в полупроводник, а для запирающего слоя на границе металла с полупроводником р-типа ( Л Л) - из полупроводника в металл. [54]