Верхняя обкладка

Cтраница 2

Характеристики танталовых конденсаторов с верхними обкладками из NiCr-Аи были включены в табл 9 в виду важное. Танталовые конденсаторы со свободно лежащей ьерхней обкладкой из таких металлов, как золото, адсорбируют и десорбируют влагу на границе раздела между диэлектриком и верхним ьл. Защитные покрытия замедляют, но не уменьшают величину изменения емкости. Клерер и др. [ 134J обнаружили, что адсорбция влаги на границе раздела диэлектрик - металл моли т бь:: ь значительно уменьшена введением под золотую пленку верхней обкладки нихрома, имеющего хорошую адгезию к окиси тантала. Ни один из пленочных конденсаторов, приведенных в табл. 9, за исключением невидимому танталовых конденсаторов с окисью марганца и конденсаторов на основе А1гО3 [108], не способен работать при температурах выше 100 С, так как электрическая прочность ТагО5, SiO и парилена быстро уменьшается с ростом температуры. [16]

После нанесения моноокиси кремния напыляется верхняя обкладка из алюминия толщиной около 0 1000 мкм. Для получения рисунка могут применяться металлическая маска или фотолитография. [17]

Структура конденсаторов для биполярных ИМС. [18]

МОП); / - верхняя обкладка; 2 - вывод нижней обкладки; 3 - изолирующий р-п переход; 4 - слой кремния р-типа; 5 - подложка л-типа; 6 - нижняя обкладка из кремния п - Ь - типа. [19]

Структурная схема программы расчета тонкопленочмых конденсаторов. [20]

С учетом коэффициента Кф определяют размеры верхней обкладки. [21]

Для подведения постоянно сохраняющегося потенциала к верхней обкладке кристаллической пластины, электропроводность которой надлежало исследовать, применялась высоковольтная батарея, состоящая из 1000 последовательно соединенных аккумуляторов; соответствующими переключениями можно было постепенно, через каждые 100 в. W и Ws на проводник L, который надо представлять себе подведенным к верхней обкладке кристаллической пластинки в 1 - м ( или во 2 - м) ящичке ( рис. 2), может быть подан положительный или отрицательный заряд, а также подключен потенциал земли. [22]

Для подведения постоянно сохраняющегося потенциала к верхней обкладке кристаллической пластины, электропроводность которой надлежало исследовать, применялась высоковольтная батарея, состоящая из 1000 последовательно соединенных аккумуляторов; соответствующими переключениями можно было постепенно, через каждые 100 в. L, который надо представлять себе подведенным к верхней обкладке кристаллической пластинки в 1 - м ( или во 2 - м) ящичке ( - рис. 2), может быть подан положительный или отрицательный заряд, а также подключен потенциал земли. [23]

Подгоночные секции можно произвольно размещать по сторонам верхней обкладки, однако необходимо стремиться к сохранению оптимальной формы конденсатора. Если число секций не превышает трех, то их размещают на одной стороне, в противном случае - на двух и трех сторонах верхней обкладки. [24]

Электрические колебания в контуре 48. [25]

Теперь электроны начнут обратное движение-в направлении от верхней обкладки через катушку к нижней обкладке конденсатора. [26]

Конденсатор С2 заряжен до напряжения PJ К2: верхняя обкладка заряжена положительно, а нижняя - отрицательно. [27]

На рисунке показано три электрона, перешедших на верхнюю обкладку с отрицательного полюса источника питания. Эти же силы препятствуют поступлению исполнительных электронов от источника питания. Напомним, что емкость определяется отношением накопленного заряда к приложенному напряжению ( CQ / E), поэтому рассмотренный конденсатор имеет относительно малую емкость. Если площадь обкладок больше, как это показано на рис. 3.35, то взаимное отталкивание между электронами уменьшается и, следовательно, противо - ЭДС, обусловленная тем же количеством электронов, будет меньше, чем в первом случае. В связи с этим при одном и том же напряжении источника питания количество электронов на верхней обкладке увеличится, что означает увеличение емкости конденсатора. Таким образом, емкость прямо пропорциональна площади обкладок: увеличение вдвое площади обкладок приводит к такому же увеличению емкости конденсатора. [28]

Печатная катушка индуктивности. [29]

Диэлектрический слой в печатном конденсаторе должен выступать за пределы верхней обкладки не менее чем на 0 5 мм по периметру. [30]

Страницы: 1 2 3 4