Верхняя обкладка

Cтраница 3

Примеры соединения резистивной пленки с токопроводящими слоями.| Топологические разновидности тонкопленочных конденсаторов. [31]

При этом нижняя обкладка 2 конденсатора выходит за периметр верхней обкладки 3, а периметр диэлектрической пленки / выходит за периметр нижней обкладки. Это исключает возможность замыкания обкладок и устраняет погрешность от их смещения. [32]

Масса тканевых лент дана для четырехпрокладочных лент с толщиной верхней обкладки 3 мм и нижней - 1 мм. [33]

Пусть все конденсаторы заряжены до напряжения U, причем потенциалы верхних обкладок положительны ( LJ), а нижних равны нулю. После пробоя первого искрового промежутка потенциал точки А равен нулю, так как эта точка получает соединение с землей. [34]

Электрическая прочность диэлектрической пленки в значительной степени зависит от процесса конденсации верхней обкладки. Золото и серебро вызывают замыкание обкладок из-за интенсивной диффузии атомов вдоль границ зерен диэлектрической пленки спустя некоторое время после осаждения. Поэтому применяют алюминий, который имеет малую диффузионную подвижность благодаря окислительным процессам на поверхности. [35]

Диффузионные конденсаторы и их эквивалентные схемы.| Конденсатор структуры МДП. а - конструкция. б - эквивалентная схема. [36]

В конденсаторах структуры МДП нижней обкладкой является слой эмиттер-ной диффузии, а верхней обкладкой - контактный слой алюминия. Для уменьшения паразитной емкости относительно подложки эмиттер-ная диффузия проводится непосредственно в эпитаксиальный слой коллектора. [37]

Коррозия металлизации и проволочных выводов приводит к снижению механической прочности соединений и обрывам верхних обкладок тонкопленочных конденсаторов. [38]

При разряде конденсатора СЗ через дроссель L1 накопленная энергия потребляется нагрузкой, при этом потенциал верхней обкладки повышается, что вызывает вновь открывание транзисторов ТЗ и Т2 и описанный выше - процесс повторяется. [39]

Когда тиристор отпирается управляющим импульсом от трансформатора Тр2, нижняя обкладка конденсатора Сц заряжается положительно относительно верхней обкладки в результате автотрансформаторного действия Тр. Когда сердечник Тр насыщается, напряжение на Ci прикладывается к Гь создавая на нем обратное напряжение в течение интервала времени, зависящего от тока нагрузки и величины емкости Ct. Это прерывает протекание тока от источника постоянного тока, пока тиристор не будет снова отперт. [40]

На его нижнем конце закреплена металлическая пружина, которая после закрытия ящичка крышкой контактируется с верхней обкладкой пластины. [41]

При изготовлении конденсатора на подложку, являющуюся механической опорой, наносятся нижняя обкладка, диэлектрическая пленка и верхняя обкладка. [42]

Пленочный конденсатор в интегральном исполнении. [43]

Нижней обкладкой конденсатора является сильнолегированный слой полупроводниковой подложки, диэлектриком служит слой SiC2 толщиной до 1 мкм, а верхней обкладкой является напыленная пленка алюминия. Такой конденсатор имеет емкость до 500 пФ / мм2, она стабильна и не зависит от полярности напряжения; пробивное напряжение до 50 В. [44]

При этом прямая Im w 0 переходит в нижнюю обкладку конденсатора AI, а прямая Im w 1 - в верхнюю обкладку, представляющую собой ломаную А А А. Из формулы (7.100) при v Im w const получим параметрические уравнения потенциальных кривых данного электростатического поля. [45]

Страницы: 1 2 3 4