Верхняя обкладка

Cтраница 4

Ее особенностью является то, что несовмещение контуров обкладок не сказывается на воспроизведении емкости ( для устранения погрешности из-за площади вывода верхней обкладки предусмотрены компенсаторы 5), а распространение диэлектрика за контуры обеих обкладок гарантирует надежную изоляцию обкладок при их предельном несовмещении. [46]

ЗНАЧЕНИЯ Суд ДЛЯ КОНДЕНСАТОРОВ НА ОСНОВЕ р-п - ПЕРЕХОДОВ ТРАНЗИСТОРА. [47]

В оксидных конденсаторах в качестве нижней обкладки используется слой п - типа, в качестве диэлектрика - слой SiCb толщиной 0 08 - 0 1 мкм, в качестве верхней обкладки - пленка алюминия. Они униполярны, их номинал не зависит от приложенного напряжения. В качестве тонкопленочных используются танталовые на основе XazOs и аллундовые ( АЬОз) конденсаторы. [48]

Если верхняя обкладка конденсатора, включенного по рис. 82, заряжается положительно, то нижняя обкладка зарядится отрицательно; из соединительного провода на нее придут электроны, притягивающиеся положительным зарядом верхней обкладки. [49]

Из предыдущего обсуждения очевидно, что рабочее напряжение конденсатора должно быть меньше напряжения пробоя, причем величина разности между ними зависит от рабочей температуры, площади конденсатора, толщины диэлектрика, материалов подложки и верхней обкладки и максимально допустимой частоты отказов. [50]

Кроме того, при применении лазера с модулированной добротностью резонатора, генерирующего излучения длительностью несколько десятков наносекунд, испарение материала происходит лишь на глубину нескольких микрометров, что позволяет производить подгонку емкости конденсатора за счет испарения его верхней обкладки. [51]

Агрегат для изготовления лент, армированных металлотросом, включает шпулярник на 130 катушек с длиной троса до 500 м, направляющие ролики для равномерного распределения тросов, трехвалковый каландр, каретку для нижней обкладки, раскаточные стойки для верхней обкладки, дублирующие валки, вулканизационный пресс с рабочей длиной плит около 6000 мм и закаточный станок. [52]

В качестве примера приведем типовую последовательность создания слоев пассивной части толстопленочной гибридной микросхемы: печать, сушка и вжигание проводников и нижних обкладок конденсаторов; печать и сушка диэлектрика; печать и сушка верхних обкладок конденсаторов; совместное вжигание диэлектрика и верхних обкладок; печать, сушка и вжигание резисторов; подгонка параметров элементов; нанесение защитного покрытия и облуживание контактных площадок. [53]

В отличие от резисторов и контактных площадок, при изготовлении которых достаточно произвести одно или в крайнем случае два напыления ( подслоя и слоя), изготовление тонкопленочных онденсаторов требует по меньшей мере три напыления: нижней обкладки, диэлектрической пленки и верхней обкладки. В тонкопленочных конденсаторах обычно используют две обкладки, поскольку применение большого числа обкладок затрудняет процесс изготовления конденсаторов и удорожает их стоимость. [54]

В упомянутый ящичек К1 предназначенный для размещения кристалла, помещалась совершенным образом изолированная свободная от остаточного заряда шлифованная параллельно оси пластинка известняка. Верхняя обкладка этой пластины использовалась для подачи потенциала и могла подсоединяться либо к девяти последовательно соединенным кадмиевым элементам, либо к 250 аккумуляторам высоковольтной батареи и заряжаться, соответственно, до 9.17 или до 535 в, измеряемых многосекционным электрометром. [55]

Конструкция комбинированного трансформатора фирмы АЕГ на НО кв в изолирующей покрышке схематично показана на рис. 12 а. Верхняя обкладка присоединена к точке высшего потенциала, а нижняя заземлена. Это обеспечивает равномерное распределение напряжения по высоте покрышки и устраняет концентрацию электрического поля в отдельных точках по окружности покрышки. [56]

В упомянутый ящичек Кг, предназначенный для размещения кристалла, помещалась совершенным образом изолированная свободная от остаточного заряда шлифованная параллельно оси пластинка известняка. Верхняя обкладка этой пластины использовалась для иодачи потенциала и могла подсоединяться либо к девяти последовательно соединенным кадмиевым элементам, либо к 250 аккумуляторам высоковольтной батареи и заряжаться, соответственно, до 9.17 или до 535 в, измеряемых многосекционным электрометром. [57]

Чтобы получить большие удельные емкости, вместо методов апыления используют, например, электролитический процесс. Верхнюю обкладку получают вакуумным напылением. [58]

Для верхней обкладки конденсатора на основе TazOj используют сплавы на основе золота, алюминия и меди. Толщина верхних обкладок составляет 0 5 - 0 6 мкм. При использовании алюминиевых обкладок нужно иметь в виду, что AI быстро диффундирует в пятиокись тантала при нагревании. [59]

При дальнейшем движении зарядов по цепи происходит постепенное накопление этих зарядов на обкладках конденсатора. С верхней обкладки все большее и большее число электронов уходит к положительному полюсу источника, и обкладка приобретает все больший и больший положительный заряд. В то же время все большее и большее количество электронов с отрицательного полюса источника поступает на нижнюю обкладку, и она приобретает все больший и больший отрицательный заряд. Благодаря наличию сил взаимодействия заряды на обеих обкладках в любой момент времени оказываются равными между собой. [60]

Страницы: 1 2 3 4