Cтраница 1
Нижняя обкладка конденсатора может быть нанесена одновременно с проводниками. При создании диэлектрических слоев, верхней обкладки необходимо осуществить отдельно циклы нанесения и вжигания. Кроме того, лазерная подгонка конденсаторов очень трудоемка, она требует высокой квалификации оператора. При подгонке конденсаторов не должна повреждаться диэлектрическая пленка. Трудоемкость изготовления толстопленочных конденсаторов ограничивает их применение, поэтому в тол сто пленочных ГИС чаще применяют навесные конденсаторы. [1]
![]() |
Последовательность изготовления пленочного мультивибратора. в верхнем ряду изображены формы масок, а в нижнем - стадии изготовления микросхемы при напылении. [2] |
Нижние обкладки конденсаторов и проводники напыляют через вторую маску, используя НИЗКООМНУЮ пленку хрома, испаряемую с вольфрамовой спирали. Через третью маску напыляют слой диэлектрика в виде моноокиси кремния, испаряемой из молибденовой лодочки. Через четвертую маску напыляют верхние обкладки конденсаторов и соединительные проводники. [3]
![]() |
Пленочный конденсатор в интегральном исполнении. [4] |
Нижней обкладкой конденсатора является сильнолегированный слой полупроводниковой подложки, диэлектриком служит слой SiC2 толщиной до 1 мкм, а верхней обкладкой является напыленная пленка алюминия. Такой конденсатор имеет емкость до 500 пФ / мм2, она стабильна и не зависит от полярности напряжения; пробивное напряжение до 50 В. [5]
Поскольку нижняя обкладка конденсатора / С0 заземляется, на оба конденсатора приходится полное фазное напряжение линии электропередачи, а конденсаторы Л и К0 образуют делитель напряжения с отводом в месте соединения конденсаторов между собой. [6]
Знак - означает, что нижняя обкладка конденсатора ( см. рис. 6.1) заряжена отрицательно. [7]
Трансформатор напряжения расположен в зоне нижней обкладки конденсатора. Трансформатор герметизирован, расширение масла происходит за счет ( Мембраны 7, расположенной в верхнем бачке. Даже при нижнем уровне масла мембрана создает избыточное давление, что исключает проникновение внутрь трансформатора воздуха в случае неисправности уплотнений. [8]
Для формирования эмиттерных областей транзисторов, нижних обкладок конденсаторов со структурой металл-окисел - - кремний и коллекторных контактов вновь производится травление окон в окисном слое ( рис. 11 - 1, г) и введение с помощью диффузии примесей, создающих в этих областях большую концентрацию носителей я-типа. [9]
Противоположная полярность напряжения UR объясняется тем, что нижняя обкладка конденсатора, имеющая отрицательный потенциал, соединяется с левым в схеме концом резистора, с которым в процессе заряда конденсатора соединялся. [10]
Противоположная полярность напряжения ик объясняется тем, что нижняя обкладка конденсатора, имеющая отрицательный потенциал, соединяется с левым в схеме выводом резистора, с которым в процессе заряда конденсатора был соединен положительный зажим источника питания. [11]
Как видно из схемы на рис. 3, нижняя обкладка конденсатора связи должна заземляться в нормальном режиме через обмотку / фильтра присоединения, поэтому конденсатор связи изолируется от конструкции, на которой его устанавливают специальной изолирующей подставкой. [12]
В этой схеме ТОН включен в цепь заземления нижней обкладки конденсатора связи. Высокочастотный аппарат подключается параллельно устройству отбора напряжения так же, как и в схеме рис. 1 - 28, а, через специальное устройство, так называемый фильтр присоединения. [13]
![]() |
Конденсатор связи типа СММ 20 / 30 035.| Фильтр присоеди нения ФО-РС-35. [14] |
Фильтры присоединения служат для снятия опасного потенциала с нижней обкладки конденсатора связи и для пропускания с малыми потерями высокочастотной энергии от аппаратуры связи в линию электропередачи. [15]